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产品型号2KBP04M的概述

芯片2KBP04M的概述 2KBP04M是一款双极晶体管(BJT),主要用于功率电子应用。该器件通常被用于电源管理、开关电源和音频增强电路等领域。2KBP04M的结构设计旨在实现在高电压和高电流条件下稳定工作的能力,满足不同应用的需求。由于其较高的耐压和较大电流承载能力,这款芯片在工业和消费类产品中均得到了广泛应用。 详细参数 2KBP04M的参数包括但不限于以下几个方面: - 类型: NPN双极晶体管 - 最大集电极-发射极电压 (V_CE): 400V - 最大集电极电流 (I_C): 2A - 直流增益 (h_FE): 25–100(典型值) - 热阻: 50°C/W(结到壳体) - 封装类型: TO-220 - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C 这些参数为设计工程师提供了必要的信息,确保在不同应用场合能够选择合适的器件。 厂家、包装与封装 2KBP04M由多个半导...

产品型号2KBP04M的Datasheet PDF文件预览

2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259  
Vishay Semiconductors  
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier  
Case Style KBPM  
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
2 A  
50 V to 1000 V  
60 A  
5 µA  
VF  
1.1 V  
Tj max.  
150 °C  
~
~
~
~
Features  
Mechanical Data  
• UL Recognition file number E54214  
• Ideal for printed circuit board  
• High surge current capability  
• High case dielectric strength  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Case: KBPM  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
Terminals: Silver plated (E4 Suffix) leads, solderable  
per J-STD-002B and JESD22-B102D  
Polarity: As marked on body  
Typical Applications  
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave rec-  
tification for Switching Power Supply, Home Appli-  
ances, Office Equipment, and Telecommunication  
applications  
Maximum Ratings  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbols 2KBP  
005M  
2KBP  
01M  
2KBP  
02M  
2KBP  
04M  
2KBP  
06M  
2KBP  
08M  
2KBP  
10M  
Units  
3N253 3N254 3N255 3N256 3N257 3N258 3N259  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
2.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Max. average forward output rectified current at  
IF(AV)  
T
A = 55 °C  
Peak forward surge current single half sine-  
wave superimposed on rated load  
IFSM  
60  
A
I2t  
A2sec  
°C  
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
15  
Operating junction and storage temperature  
range  
TJ,TSTG  
- 55 to + 165  
Document Number 88532  
08-Jul-05  
www.vishay.com  
1
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259  
Vishay Semiconductors  
Electrical Characteristics  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Test condition Symbols 2KBP  
005M  
2KBP  
01M  
2KBP  
02M  
2KBP  
04M  
2KBP  
06M  
2KBP  
08M  
2KBP  
10M  
Units  
3N253 3N254 3N255 3N256 3N257 3N258 3N259  
1.1  
Maximum instantaneous  
forward voltage drop per leg  
at 3.14 A  
VF  
IR  
V
Maximum DC reverse  
current at rated DC blocking  
voltage per leg  
T
A = 25 °C  
5.0  
500  
µA  
TA = 125 °C  
Typical junction capacitance at 4.0 V, 1 MHz  
per leg  
CJ  
25  
pF  
Thermal Characteristics  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbols 2KBP  
005M  
2KBP  
01M  
2KBP  
02M  
2KBP  
04M  
2KBP  
06M  
2KBP  
08M  
2KBP  
10M  
Units  
°C/W  
3N253 3N254 3N255 3N256 3N257 3N258 3N259  
Typical thermal resistance per leg(1)  
Notes:  
RθJA  
RθJL  
30  
11  
(1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with, 0.47 x 0.47" (12 x12 mm) copper pads.  
Ratings and Characteristics Curves  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
60  
2.0  
TJ = 150 °C  
Single Sine-Wave  
60 HZ  
Resistive or  
Inductive Load  
50  
40  
30  
20  
10  
0
1.5  
1.0  
0.5  
0
P.C.B. Mounted  
with 0.47 x 0.47"  
(12 x 12 mm)  
Copper Pads  
Capacitive Load  
I(pk)  
5.0  
10  
20  
=
I(AV)  
1.0 Cycle  
(Per Leg)  
1
10  
Number of Cycles at 60 HZ  
100  
170  
160  
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
Ambient Temperature (°C)  
Figure 1. Derating Curve Output Rectified Current  
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
Per Leg  
www.vishay.com  
Document Number 88532  
08-Jul-05  
2
2KBP005M thru 2KBP10M, 3N253 thru 3N259  
Vishay Semiconductors  
20  
10  
100  
T
= 25°C  
J
f = 1.0 MHZ  
Vsig = 50mVp-p  
1
0.1  
10  
TJ = 25 °C  
Pulse Width = 300 μs  
1% Duty Cycle  
1
0.1  
0.01  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1
10  
100  
Instantaneous Forward Voltage (V)  
Reverse Voltage (V)  
Figure 3. Typical Forward Characteristics Per Leg  
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Leg  
100  
TJ = 125°C  
10  
1
TJ = 100°C  
0.1  
0.01  
TJ = 25°C  
80  
0
20  
40  
60  
100  
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)  
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics Per Leg  
Package outline dimensions in inches (millimeters)  
Case Style KBPM  
0.600 (15.24)  
o
0.125 x 45  
(3.2)  
0.560 (14.22)  
0.460 (11.68)  
0.420 (10.67)  
0.500 (12.70)  
0.460 (11.68)  
60  
(15.2)  
MIN.  
0.50 (12.7) Min.  
0.060  
(1.52)  
0.034 (0.86)  
0.028 (0.76)  
DIA.  
0.160 (4.1)  
0.140 (3.6)  
0.105 (2.67)  
0.085 (2.16)  
0.200 (5.08)  
0.180 (4.57)  
Polarity shown on front side of case: positive lead by beveled corner  
Document Number 88532  
08-Jul-05  
www.vishay.com  
3
配单直通车
2KBP04M产品参数
型号:2KBP04M
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SANGDEST MICROELECTRONICS (NANJING) CO LTD
包装说明:R-PSIP-W4
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.66
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSIP-W4
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:60 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最大输出电流:2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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