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2N1412产品参数
型号:2N1412
生命周期:Active
IHS 制造商:ASI SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:TO-36
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MBPM-D2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.45
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:65 V
配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-36
JESD-30 代码:O-MBPM-D2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:100 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):87 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):0.01 MHz
Base Number Matches:1
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