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    • 2N1711S图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量6800 
    • 厂家Microchip 
    • 封装原装现货 
    • 批号最新批号 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-88917743 QQ:2881495751
    • 2N1711S图

    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量5000 
    • 厂家MICROSEMI/美高森美 
    • 封装- 
    • 批号21+ 
    • 原装电子元件/半导体&元器件供应商。批量样品支持
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    • 0755-83532193 QQ:2881664480
    • 2N1711S图

    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量48000 
    • 厂家一级代理 
    • 封装一级代理 
    • 批号一级代理 
    • 一级代理正品采购
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    • 0755-82542579 QQ:3007226851QQ:3007226849
    • 2N1711S图

    • 深圳市西源信息科技有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量8800 
    • 厂家Microchip 
    • 封装原装现货 
    • 批号最新批号 
    • 原装现货零成本有接受价格就出
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    • 0755-84876394 QQ:3533288158QQ:408391813
    • 2N1711S图

    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量5000 
    • 厂家MOT / ON 
    • 封装CAN/TO-3 
    • 批号2023 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
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    • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
    • 2N1711S图

    • 北京罗彻斯特电子科技有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量1000 
    • 厂家MSC 
    • 封装 
    • 批号2001 
    • ★原装现货，微波军工停产芯片优势，可出售样品研发选型BOM配单服务
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      QQ:372787046QQ：372787046 复制
    • 13261827936军工芯片优势 QQ:674627925QQ:372787046
    • 2N1711S图

    • 深圳市思诺康科技有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量1000 
    • 厂家Microchip Technology 
    • 封装TO-205AD 
    • 批号23+ 
    • 晶体管
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      QQ:2881281133QQ：2881281133 复制
    • 0755-83286481 QQ:2881281130QQ:2881281133
    • 2N1711S图

    • 深圳市浩兴林电子有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量6520 
    • 厂家MOT 
    • 封装TO-99 
    • 批号2017+ 
    • 特价出售，全新原装，部分无铅
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    • 0755-82532799 QQ:382716594QQ:351622092
    • 2N1711S图

    • 深圳市双微电子科技有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量78564 
    • 厂家MOT/ST 
    • 封装CAN-3 
    • 批号20+ 
    • 询货请加QQ 全新原装 现货库存
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    • 2N1711S图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
    • 2N1711S图

    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量96 
    • 厂家MICROSEMI 
    • 封装SMD 
    • 批号24+ 
    • ★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:450元
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    • 2N1711S图

    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 2N1711S
    • 数量9800 
    • 厂家988 
    • 封装 
    • 批号24+ 
    • 原厂渠道，全新原装现货，欢迎查询！
    • QQ:97877805QQ：97877805 复制
    • 171-4729-0036（微信同号） QQ:97877805

    产品型号2N1711S的概述

    芯片2N1711S的概述 2N1711S是一种广泛应用于高频放大电路的双极型晶体管（BJT），具有较为优越的性能。在现代电子技术中，该晶体管常用于RF应用、音频放大器以及其它需要小信号处理的电路中。通过它的设计，2N1711S为多种无线通信和信号处理应用提供了可靠的解决方案，其优异的频率响应和增益特性使其成为了经典选择。 芯片2N1711S的详细参数 在2N1711S的详细参数中，我们可以列出以下几个关键特性： 1. 类型: NPN晶体管 2. 最大集电极-发射极电压 (VCE): 40V 3. 最大集电极电流 (IC): 500mA 4. 最大耗散功率 (PD): 500mW 5. 直流电流增益 (hFE): 100到300（在特定的直流工作条件下） 6. 频率特性: 最大工作频率可达到300MHz 7. 封装形式: TO-92 8. 工作温度范围: -55°C至+150°C 这些参...

    产品型号2N1711S的Datasheet PDF文件预览

    TECHNICAL DATA  
    NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR  
    Qualified per MIL-PRF-19500/ 225  
    Devices  
    Qualified Level  
    JAN  
    JANTX  
    2N1711  
    2N1890  
    MAXIMUM RATINGS  
    Ratings  
    Symbol 2N1711 2N1890 Unit  
    Collector-Base Voltage  
    Emitter-Base Voltage  
    Collector Current  
    75  
    100  
    Vdc  
    VCBO  
    VEBO  
    IC  
    7.0  
    Vdc  
    500  
    mAdc  
    Total Power Dissipation  
    @ TA = +250C (1)  
    @ TC = +250C (2)  
    0.8  
    3.0  
    W
    W
    0C  
    PT  
    Operating & Storage Junction Temperature Range  
    -65 to +200  
    TJ, T  
    stg  
    THERMAL CHARACTERISTICS  
    Characteristics  
    Symbol  
    Max.  
    Unit  
    0C/W  
    Thermal Impedance  
    58  
    Z
    qJX  
    TO-5*  
    1) Derate linearly 4.57 mW/0C for TA > 250C  
    2) Derate linearly 17.2 mW/0C for TC > 250C  
    *See appendix A for package  
    outline  
    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
    Characteristics  
    OFF CHARACTERISTICS  
    Collector-Base Breakdown Voltage  
    Symbol  
    Min.  
    Max.  
    Unit  
    Vdc  
    Vdc  
    Vdc  
    IC = 100 mAdc  
    2N1711, S  
    2N1890, S  
    V(BR)  
    75  
    100  
    CBO  
    Collector-Emitter Breakdown Voltage  
    RBE = 10 W, IC = 100 mAdc  
    2N1711, S  
    2N1890, S  
    V(BR)  
    50  
    80  
    CER  
    Collector-Emitter Breakdown Voltage  
    IC = 30 mAdc  
    2N1711, S  
    2N1890, S  
    V(BR)  
    30  
    60  
    CEO  
    Emitter-Base Breakdown Voltage  
    IE = 100 mAdc  
    Vdc  
    V(BR)  
    7.0  
    EBO  
    Collector-Base Cutoff Current  
    VCB = 60 Vdc  
    VCB = 80 Vdc  
    hAdc  
    2N1711  
    2N1890  
    ICBO  
    10  
    10  
    Emitter-Base Cutoff Current  
    VEB = 5.0 Vdc  
    IEBO  
    hAdc  
    5.0  
    6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
    120101  
    1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
    Page 1 of 2  
    2N1711, 2N1890 JAN SERIES  
    Symbol  
    Characteristics  
    ON CHARACTERISTICS (3)  
    Min.  
    Max.  
    Unit  
    Forward-Current Transfer Ratio  
    IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc  
    IC = 150 mAdc, VCE = 10 Vdc  
    IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc  
    Collector-Emitter Saturation Voltage  
    IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc  
    20  
    100  
    50  
    hFE  
    300  
    2N1711, S  
    Vdc  
    Vdc  
    2N1711, S  
    2N1890, S  
    2N1890, S  
    VCE(sat)  
    1.5  
    5.0  
    1.2  
    IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc  
    Base-Emitter Saturation Voltage  
    IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc  
    VBE(sat)  
    1.3  
    0.9  
    IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mVdc  
    2N1890, S  
    DYNAMIC CHARACTERISTICS  
    Small-Signal Short-Circuit Forward-Current Transfer Ratio  
    IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc  
    IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc  
    hfe  
    80  
    90  
    200  
    270  
    Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-Circuit  
    Forward-Current Transfer Ratio  
    IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc; f = 20 MHz  
    Small-Signal Short-Circuit Input Impedance  
    IC = 5.0 mAdc, VCB = 10 Vdc  
    ½hfe½  
    3.5  
    4.0  
    12  
    W
    hib  
    8.0  
    Small-Signal Short-Circuit Output Admittance  
    IC = 5.0 mAdc, VCB = 10 Vdc  
    hob  
    mW  
    2N1711, S  
    2N1890, S  
    1.0  
    .03  
    Output Capacitance  
    pF  
    VCB = 10 Vdc, IE = 0, 100 kHz £ f £ 1.0 MHz  
    2N1711, S  
    2N1890, S  
    Cobo  
    8.0  
    5.0  
    25  
    15  
    SWITCHING CHARACTERISTICS  
    Turn-On Time + Turn-Off Time  
    ton + toff  
    hs  
    (See figure 1 of MIL-PRF-19500/225)  
    30  
    (3) Pulse Test: Pulse Width 250 to 350ms, Duty Cycle £ 2.0%.  
    6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
    1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
    120101  
    Page 2 of 2  
    配单直通车
    2N1711S产品参数
    型号:2N1711S
    是否无铅： 含铅
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Active
    IHS 制造商：MICROSEMI CORP
    包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.21.00.95
    风险等级：5.1
    Is Samacsys：N
    最大集电极电流 (IC)：0.5 A
    集电极-发射极最大电压：30 V
    配置：SINGLE
    最小直流电流增益 (hFE)：50
    JEDEC-95代码：TO-5
    JESD-30 代码：O-MBCY-W3
    JESD-609代码：e0
    元件数量：1
    端子数量：3
    最高工作温度：200 °C
    封装主体材料：METAL
    封装形状：ROUND
    封装形式：CYLINDRICAL
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    极性/信道类型：NPN
    认证状态：Not Qualified
    表面贴装：NO
    端子面层：TIN LEAD
    端子形式：WIRE
    端子位置：BOTTOM
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
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