2N2222A产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：NPN MED PWR GEN PUR (TO-18 CASE)

详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 800mA 500mW Through Hole TO-18

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：散装

零件状态：停產

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：800mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：40V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：1V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：-

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：500mW

频率 - 跃迁：-

工作温度：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装：TO-18

基本零件编号：2N2222

标准包装：500

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）