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| 型号: | 2N2326A |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | SILICON TRANSISTOR CORP |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.05 |
| Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.9 V |
| 最大维持电流： | 3 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 最大漏电流： | 0.1 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 15 A |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 1600 A |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 2.512 A |
| 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
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