2N2369产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：NPN MED PWR HS TRANSISTOR

详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 360mW Through Hole TO-18

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：散装

零件状态：停產

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：15V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：-

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 10mA，1V

功率 - 最大值：360mW

频率 - 跃迁：-

工作温度：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装：TO-18

基本零件编号：2N2369

标准包装：500