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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市朝华半导体有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 厂家Microchip Technology 
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  • 深圳芯锐达科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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2N2907A产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:PNP SS GP AMP MED PWR TRANS.

详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 400mW Through Hole TO-18

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:散装

零件状态:停產

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):-

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

功率 - 最大值:400mW

频率 - 跃迁:-

工作温度:-

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装:TO-18

基本零件编号:2N2907

标准包装:2,000

其它名称:2N2907AFS

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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