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2N3055S产品参数
型号:2N3055S
生命周期:Active
IHS 制造商:ASI SEMICONDUCTOR INC
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.56
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):117 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):0.8 MHz
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