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  • 深圳市腾浩伟业电子有限公司

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  • 厂家Microsemi IRE Division 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装SMD 
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  • 香港元动力半导体有限公司

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2N3726产品参数
型号:2N3726
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.53
Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.3 A
集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):115
JEDEC-95代码:TO-78
JESD-30 代码:O-MBCY-W6
JESD-609代码:e0
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.4 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1
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