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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 133-5299-5145(微信同号) QQ:1415691092

产品型号2N4118A的概述

1. 概述 2N4118A是一种常用的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),在各种电子电路和应用中广泛使用。作为一种半导体器件,2N4118A凭借其高效的开关特性和优良的热性能,在电子设备的驱动、放大和开关电源等领域展现了卓越的表现。它的设计使其可以在高电压和高电流的条件下安全可靠地工作,常被应用于功率控制和转换应用中。 2. 详细参数 2N4118A的基本参数如下: - 器件类型:N沟道MOSFET - 最大漏源电压 (V_DS):60V - 最大漏极电流 (I_D):9A - 最大功耗 (P_D):55W - 门源阈值电压 (V_GS(th)):2V至4V - 传输电特性:在V_GS = 10V时,最大漏极电流可达到5A以上,且接近线性区域。 - 输入电容 (C_iss):2200pF(在V_DS为25V时) - 输出电容 (C_oss):550pF - 反向回收电容 (C_rs...

产品型号2N4118A的Datasheet PDF文件预览

N-Channel JFET  
General Purpose Amplifier  
CORPORATION  
2N4117 – 2N4119 / 2N4117A – 2N4119A  
PN4117 – PN4119 / PN4117A – PN4119A / SST4117 – SST4119  
FEATURES  
PIN CONFIGURATION  
Low Leakage  
Low Capacitance  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(TA = 25oC unless otherwise noted)  
TO-92  
TO-72  
Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -40V  
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -65oC to +200oC  
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55oC to +175oC  
Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300oC  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate above 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mW/oC  
C
G
G
S
S
D
D
SOT-23  
NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to the device. These are  
stress ratings only and functional operation of the device at these or  
any other conditions above those indicated in the operational sections  
of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum  
rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
G
5007  
D
S
ORDERING INFORMATION  
PRODUCT MARKING (SOT-23)  
Part  
Package  
Temperature Range  
SST4117  
SST4118  
SST4119  
T17  
T18  
T19  
2N4117-19/A Hermetic TO-72  
PN4117-19/A Plastic TO-92  
SST4117-19 Plastic SOT-23  
-55oC to +175oC  
-55oC to +135oC  
-55oC to +135oC  
X2N4117-19/A Sorted Chips in Carriers -55oC to +175oC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25oC unless otherwise specified)  
4117/A  
4118/A  
4119/A  
SYMBOL  
PARAMETER  
UNITS  
V
TEST CONDITIONS  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX  
-40 -40 -40  
BVGSS  
Gate-Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
IG = -1µA, VDS = 0  
-10  
-1  
-10  
-1  
-10  
-1  
pA  
A devices  
A devices  
VGS = -20V, VDS = 0  
TA = +150oC  
IGSS  
-25  
-2.5  
-25  
-2.5  
-3  
-25  
-2.5  
-6  
nA  
V
VGS(off)  
IDSS  
gfs  
Gate-Source Pinch-Off Voltage  
-0.6 -1.8  
-1  
-2  
VDS = 10V, ID = 1nA  
VDS = 10V, VGS = 0  
0.02 0.09 0.08 0.24 0.20 0.60 mA  
70 210 80 250 100 330  
Drain Current at Zero Gate Voltage (Note 1)  
Common-Source Forward Transconductance (Note 1)  
Common-Source Forward Transconductance (Note 2)  
Common-Source Output Conductance  
VDS = 10V, f = 1kHz  
VGS = 0, f = 30MHz  
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1kHz  
µS  
gfs  
60  
70  
90  
3
3
5
3
10  
3
gos  
V
DS = 10V, VGS = 0,  
f = 1MHz  
Ciss  
Crss  
Common-Source Input Capacitance (Note 2)  
pF  
V
DS = 10V, VGS = 0,  
f = 1MHz  
1.5  
1.5  
1.5  
Common-Source Reverse Transfer Capacitance (Note 2)  
NOTES: 1. Pulse test: Pulse duration of 2ms used during test.  
2. For design reference only, not 100% tested.  
配单直通车
2N4118A产品参数
型号:2N4118A
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-72
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.31
Is Samacsys:N
FET 技术:JUNCTION
JEDEC-95代码:TO-72
JESD-30 代码:O-MBCY-W4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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