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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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产品型号2N4391的概述

芯片2N4391的概述 2N4391是一种N型增强型场效应晶体管(FET),其广泛应用于模拟和数字电路中。它以其优良的特性和相对较高的输入阻抗,广泛应用于射频放大器、开关电路以及其他需要高输入阻抗的应用场景。2N4391的设计目的在于提供一种高效、可靠的电流控制解决方案,满足现代电子设备对节能与小型化的严格要求。 芯片2N4391的详细参数 2N4391的许多重要参数使其在不同应用中表现优越。以下是一些关键参数: - 最大漏极-源极电压(V_DS): 55V - 最大漏极电流(I_D): 20mA - 输入阻抗(Z_in): 大于1MΩ @ 1kHz - 漏极-源极饱和电平(V_DS(sat)): 0.8V(典型值) - 功耗(P_D): 350mW - 工作温度范围(T_j): -55°C ~ +150°C - 转导率(g_fs): 1.5 - 4.0 mS at V_GS = 4V...

产品型号2N4391的Datasheet PDF文件预览

2N4391  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
JFET SWITCHING  
N CHANNEL- DEPLETION  
5.84 (0.230)  
5.31 (0.209)  
4.95 (0.195)  
4.52 (0.178)  
FEATURES  
• LOW ON RESISTANCE  
• FAST SWITCHING  
0.48 (0.019)  
0.41 (0.016)  
dia.  
• MILITARY OPTIONS AVAILABLE  
2.54 (0.100)  
Nom.  
3
1
2
APPLICATIONS:  
• SWITCHING APPLICATIONS  
TO–18 METAL PACKAGE  
Underside View  
PIN 1 – Source  
PIN 2 – Drain  
PIN 3 – Gate  
(Gate is connected to case)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
V
V
Drain–Source Voltage  
Drain–Gate Voltage  
Gate–Source Voltage  
Forward Gate Current  
40V  
40V  
DS  
DG  
GS  
40V  
I
50mA  
GF  
P
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
1.8W  
D
C
Derate above 25°C  
10mW/ °C  
T
T
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
–65 to +175°C  
–65 to +175°C  
J
STG  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk  
Prelim. 11/98  
Website http://www.semelab.co.uk  
2N4391  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise stated)  
A
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
I = 1.0µA  
V
V
V
= 0  
= 0  
= 0  
40  
V
V
I
Gate Source Breakdown Voltage1  
G
DS  
DS  
DS  
(BR)GSS  
V
V
= 20V  
= 20V  
0.1  
0.2  
nA  
GS  
GS  
Gate Reverse Current  
GSS  
µA  
T = 150°C  
A
V
= 20V  
I = 1.0nA  
4.0  
10  
1.0  
0.1  
V
V
V
Gate Source Voltage  
DS  
D
GS  
I = 1.0mA  
V
V
V
= 0  
V
Gate Source Forward Voltage  
G
DS  
DS  
DS  
GS(f)  
V
V
= 12V  
= 12V  
= 20V  
= 20V  
nA  
GS  
GS  
I
Drain Cut-off Current  
D(off)  
0.2  
µA  
T = 150°C  
A
ON CHARACTERISTICS  
Zero Gate voltage Drain Current  
1
V
= 0V  
V
V
V
= 20V  
= 0  
50  
150  
0.4  
30  
mA  
V
I
GS  
DS  
GS  
GS  
DSS  
I = 12mA  
V
r
Drain Source On–Voltage  
D
DS(on)  
I = 1.0mA  
= 0  
Static Drain Source On Resistance  
D
DS(on)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
V
V
= 0V  
V
= 20V  
GS  
GS  
DS  
14  
C
Input Capacitance  
iss  
f = 1.0MHz  
V = 0V  
DS  
pF  
= 12V  
3.5  
C
Reverse Transfer Capacitance  
rss  
f = 1.0MHz  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
V
= 0V  
I = 0  
GS  
D
30  
r
t
Drain–Source “ON” Resistance  
ds(on)  
f = 1.0kHz  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn–On Time  
I
= 12mA  
15  
20  
5.0  
15  
D(on)  
on  
off  
r
V
= 12V  
t
t
t
Turn–Off Time  
GS(on)  
ns  
I
= 12mA  
= 12V  
RiseTime  
D(on)  
V
FallTime  
GS(off)  
f
1) Pulse test : Pulse Width < 300µs ,Duty Cycle < 2%  
2) f is defined as the frequency at which |h | extrapolates to untity.  
t
fe  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk  
Prelim. 11/98  
Website http://www.semelab.co.uk  
配单直通车
2N4391产品参数
型号:2N4391
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.59
配置:SINGLE
最大漏源导通电阻:30 Ω
FET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):3.5 pF
JEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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