2N4857产品参数

品牌：Microsemi Corporation

描述：N CHANNEL JFET

详细描述：JFET N-Channel 40V 360mW Through Hole TO-18

制造商：Microsemi Corporation

系列：军用，MIL-PRF-19500/385

包装：散装

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：40V

漏源电压（Vdss）：40V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：100mA @ 15V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：6V @ 500pA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：18pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：40 Ohms

功率 - 最大值：360mW

工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装：TO-18

标准包装：1

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）