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产品型号2N5089TFR的概述

芯片2N5089TFR的概述 2N5089TFR是一种广泛使用的NPN型晶体管,主要应用于信号放大和开关操作。它的结构基于硅材料,能够在广泛的电气参数范围内运行,为电子设备提供可靠的功能。晶体管的命名中的“2N”代表其为晶体管系列,而“5089”则是该系列中型号的标识,后缀“TFR”通常表示该型号的包装形式和特定的质量等级。 NPN晶体管的基本原理是,信号从集电极(C)注入到发射极(E)时,经过基极(B)的控制,使小信号能够控制大电流的流动。2N5089TFR作为NPN晶体管,具有较高的增益特性,这使它成为放大器电路和开关电路设计时的理想选择。 芯片2N5089TFR的详细参数 2N5089TFR的主要电气参数包括: 1. 集电极-发射极电压 (Vce): 40V 2. 发射极-基极电压 (Veb): 5V 3. 集电极电流 (Ic): 800mA 4. 直流电流增益 (hFE): 1...

产品型号2N5089TRA的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
2N508A产品参数
型号:2N508A
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:GPD OPTOELECTRONICS CORP
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85
最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:100 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):2.5 MHz
Base Number Matches:1
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