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2N5116产品参数
型号:2N5116
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:0.8
配置:SINGLE
最大漏源导通电阻:150 Ω
FET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):7 pF
JEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Small Signal
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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