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2N5179产品参数
型号:2N5179
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:1.63
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-72
JESD-30 代码:O-MBCY-W4
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.3 W
最小功率增益 (Gp):15 dB
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):900 MHz
VCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1
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