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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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2N5250产品参数
型号:2N5250
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SILICON TRANSISTOR CORP
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.55
最大集电极电流 (IC):70 A
集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-114
JESD-30 代码:O-MUPM-D3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):350 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHz
VCEsat-Max:1.8 V
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