欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
产品
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购
    所在地： 型号： 精确
    • 批量询价
    •  
    • 供应商
    • 型号
    • 数量
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
    • 询价
    更多
    • 2N5433图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • 2N5433
    • 数量98500 
    • 厂家NS 
    • 封装原厂封装 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495751QQ：2881495751 复制
    • 0755-88917743 QQ:2881495751
    • 2N5433-E3图

    • 北京首天国际有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • 2N5433-E3
    • 数量8031 
    • 厂家Vishay/Siliconix 
    • 封装贴/插片 
    • 批号2024+ 
    • 百分百原装正品，现货库存
    • QQ:528164397QQ：528164397 复制
      QQ:1318502189QQ：1318502189 复制
    • 010-62565447 QQ:528164397QQ:1318502189
    • 2N5433图

    • 万三科技(深圳)有限公司

       该会员已使用本站2年以上
    • 2N5433
    • 数量660000 
    • 厂家Vishay(威世) 
    • 封装原厂原装 
    • 批号23+ 
    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
    • 2N5433图

    • HECC GROUP CO.，LIMITED

       该会员已使用本站17年以上
    • 2N5433
    • 数量2500 
    • 厂家SILICONIX 
    • 封装CAN3 
    • 批号2021+ 
    • 原装假一赔十！可提供正规渠道证明！
    • QQ:3003818780QQ：3003818780 复制
      QQ:3003819484QQ：3003819484 复制
    • 755-83950019 QQ:3003818780QQ:3003819484
    • 2N5433图

    • 上海熠富电子科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • 2N5433
    • 数量3244 
    • 厂家NS / VIS 
    • 封装CAN/TO-3 
    • 批号2023 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
    • QQ:2719079875QQ：2719079875 复制
      QQ:2300949663QQ：2300949663 复制
    • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
    • 2N5433图

    • 深圳市意好科技有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • 2N5433
    • 数量10020 
    • 厂家SILICONIX 
    • 封装原厂 
    • 批号24+ 
    • 中华地区销售
    • QQ:2853107358QQ：2853107358 复制
      QQ:2853107357QQ：2853107357 复制
    • 0755-88608316 QQ:2853107358QQ:2853107357
    • 2N5433图

    • 北京罗彻斯特电子科技有限公司

       该会员已使用本站18年以上
    • 2N5433
    • 数量9 
    • 厂家MSC 
    • 封装 
    • 批号2001 
    • ★原装现货，微波军工停产芯片优势，可出售样品研发选型BOM配单服务
    • QQ:674627925QQ：674627925 复制
      QQ:372787046QQ：372787046 复制
    • 13261827936军工芯片优势 QQ:674627925QQ:372787046
    • 2N5433图

    • 深圳市瑞天芯科技有限公司

       该会员已使用本站7年以上
    • 2N5433
    • 数量20000 
    • 厂家SILICONIX 
    • 封装CAN3 
    • 批号22+ 
    • 深圳现货库存，保证原装正品
    • QQ:1940213521QQ：1940213521 复制
    • 15973558688 QQ:1940213521
    • 2N5433图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • 2N5433
    • 数量22000 
    • 厂家TI 
    • 封装CAN 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
      QQ:2881493921QQ：2881493921 复制
    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
    • 2N5433*图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站11年以上
    • 2N5433*
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
      QQ:2881493921QQ：2881493921 复制
    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
    • 2N5433 COM图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • 2N5433 COM
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
      QQ:2881493921QQ：2881493921 复制
    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
    • 2N5433-2图

    • 深圳市一线半导体有限公司

       该会员已使用本站16年以上
    • 2N5433-2
    • 数量22000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
    • QQ:2881493920QQ：2881493920 复制
      QQ:2881493921QQ：2881493921 复制
    • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921

    产品型号2N5433的概述

    芯片2N5433的概述 2N5433是一款常用的NPN型双极晶体管，广泛应用于各种电子电路中，特别是在放大器、开关电路以及其他模拟或数字应用中。该型号的晶体管因其良好的电气特性和可靠性，受到电子工程师的青睐。2N5433具有较高的电流增益，适合在高频和高功率环境中使用。 芯片2N5433的详细参数 2N5433的主要参数包括： - 类型：NPN晶体管 - 最大集电极电压（Vce）：60V - 最大集电极电流（Ic）：3A - 功耗（Ptot）：最大可达 30W - 电流增益（hFE）：通常在50到150之间，取决于工作条件 - 频率：具有相对较好的高频响应，通常在100MHz以下 - 封装类型：TO-220或TO-3 此外，2N5433在不同的工作环境下，其参数可能会有所不同，因此建议在设计电路时关注实际的工作温度和负荷情况。 芯片2N5433的厂家、包装、封装 2N5433晶体管的...

    产品型号2N5433的Datasheet PDF文件预览

    2N5432/5433/5434  
    Vishay Siliconix  
    N-Channel JFETs  
    PRODUCT SUMMARY  
    Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (ꢀ ) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)  
    2N5432  
    2N5433  
    2N5434  
    –4 to –10  
    –3 to –9  
    –1 to –4  
    5
    7
    10  
    10  
    10  
    2.5  
    2.5  
    2.5  
    10  
    FEATURES  
    BENEFITS  
    APPLICATIONS  
    D Low On-Resistance: 2N5432 <5  
    D Fast Switching—tON: 2.5 ns  
    D High Off-Isolation—ID(off): 10 pA  
    D Low Capacitance: 11 pF  
    D Low Insertion Loss  
    ꢀ
    D Low Error Voltage  
    D Analog Switches  
    D Choppers  
    D High-Speed Analog Circuit Performance  
    D Negligible “Off-Error,” Excellent Accuracy  
    D Good Frequency Response  
    D Sample-and-Hold  
    D Normally “On” Switches  
    D Current Limiters  
    D Eliminates Additional Buffering  
    DESCRIPTION  
    The 2N5432/5433/5434 are suitable for high-performance  
    analog switching and amplifier applications. Breakdown  
    voltage characteristics, low on-resistance, and very fast  
    switching make these devices are ideal for a wide range of  
    applications.  
    The hermetically-sealed TO-206AC (TO-52) package is  
    suitable for processing per MIL-S-19500 (see Military  
    Information). For similar products in TO-236 (SOT-23) or  
    TO-226AA (TO-92) packages, see the J/SST108 series data  
    sheet.  
    TO-206AC  
    (TO-52)  
    S
    1
    2
    3
    D
    G and Case  
    Top View  
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
    Gate-Drain, Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25 V  
    Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mA  
    Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C  
    a
    Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW  
    1
    Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C  
    16  
    Notes  
    Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 200_C  
    a. Derate 2.4 mW/_C above 25_C  
    Document Number: 70245  
    S-04028—Rev. F, 04-Jun-01  
    www.vishay.com  
    7-1  
    2N5432/5433/5434  
    Vishay Siliconix  
    SPECIFICATIONS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
    A
    Limits  
    2N5432  
    2N5433  
    2N5434  
    Parameter  
    Symbol  
    Test Conditions  
    Typa Min Max Min Max Min Max Unit  
    Static  
    Gate-Source  
    Breakdown Voltage  
    V
    I
    G
    = –1 ꢁA , V = 0 V  
    –32  
    –25  
    –25  
    –25  
    (BR)GSS  
    DS  
    V
    Gate-Source Cutoff Voltage  
    V
    V
    = 5 V, I = 3 nA  
    –4  
    –10  
    –3  
    –9  
    –1  
    –4  
    GS(off)  
    DS  
    D
    b
    Saturation Drain Current  
    I
    V
    = 15 V, V = 0 V  
    150  
    100  
    30  
    mA  
    pA  
    nA  
    DSS  
    DS  
    GS  
    V
    = –15 V, V = 0 V  
    –5  
    –10  
    –10  
    10  
    –200  
    –200  
    –200  
    –200  
    –200  
    –200  
    GS  
    DS  
    Gate Reverse Current  
    I
    GSS  
    T
    A
    = 150_C  
    c
    Gate Operating Current  
    I
    G
    V
    V
    = 10 V, I = 10 mA  
    DG  
    D
    pA  
    = 5 V, V = –10 V  
    200  
    200  
    50  
    200  
    200  
    70  
    200  
    200  
    100  
    10  
    DS  
    GS  
    Drain Cutoff Current  
    I
    D(off)  
    T
    A
    = 150_C  
    20  
    nA  
    mV  
    ꢀ
    Drain-Source On-Voltage  
    V
    DS(on)  
    V
    = 0 V, I = 10 mA  
    D
    GS  
    Drain-Source On-Resistance  
    r
    2
    5
    7
    DS(on)  
    c
    Gate-Source Forward Voltage  
    V
    I
    G
    = 1 mA , V = 0 V  
    0.7  
    V
    GS(F)  
    DS  
    Dynamic  
    Common-Source  
    Forward Transconductance  
    g
    17  
    mS  
    ꢁS  
    ꢀ
    fs  
    c
    V
    = 5 V, I = 10 mA  
    D
    f = 1 kHz  
    DS  
    Common-Source  
    Output Conductance  
    g
    os  
    600  
    c
    V
    = 0 V, I = 0 mA  
    D
    f = 1 kHz  
    GS  
    Drain-Source On-Resistance  
    r
    5
    7
    10  
    30  
    15  
    ds(on)  
    Common-Source  
    Input Capacitance  
    C
    iss  
    20  
    11  
    30  
    15  
    30  
    15  
    V
    = 0 V, V = –10 V  
    DS  
    GS  
    pF  
    f = 1 MHz  
    Common-Source  
    Reverse Transfer Capacitance  
    C
    rss  
    Equivalent Input  
    Noise Voltage  
    V
    = 5 V, I = 10 mA  
    D
    f = 1 kHz  
    nV⁄  
    √Hz  
    DS  
    e
    n
    3.5  
    c
    Switching  
    t
    2
    0.5  
    4
    4
    1
    4
    1
    4
    1
    d(on)  
    b
    Turn-On Time  
    t
    r
    V
    = 1.5 V, V  
    See Switching Circuit  
    = 0 V  
    DD  
    GS(H)  
    ns  
    t
    6
    6
    6
    d(off)  
    b
    Turn-Off Time  
    t
    f
    18  
    30  
    30  
    30  
    Notes  
    a. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.  
    b. Pulse test: PW v300 ꢁs duty cycle v3%.  
    NIP  
    c. This parameter not registered with JEDEC.  
    Document Number: 70245  
    S-04028—Rev. F, 04-Jun-01  
    www.vishay.com  
    7-2  
    2N5432/5433/5434  
    Vishay Siliconix  
    TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
    A
    On-Resistance and Drain Current  
    vs. Gate-Source Cutoff Voltage  
    Forward Transconductance and Output Conductance  
    vs. Gate-Source Cutoff Voltage  
    20  
    16  
    12  
    8
    1000  
    200  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    rDS @ I = 10 mA, VGS = 0 V  
    D
    g
    V
    and g @ V = 5 V  
    os DS  
    GS = 0 V, f = 1 kHz  
    fs  
    I
    DSS @ VDS = 15 V, VGS = 0 V  
    800  
    600  
    400  
    200  
    0
    160  
    120  
    rDS  
    g
    fs  
    IDSS  
    80  
    40  
    0
    g
    os  
    4
    0
    0
    –2  
    –4  
    –6  
    –8  
    –10  
    0
    –2  
    –4  
    –6  
    –8  
    –10  
    VGS(off) – Gate-Source Cutoff Voltage (V)  
    VGS(off) – Gate-Source Cutoff Voltage (V)  
    Output Characteristics  
    Output Characteristics  
    100  
    80  
    100  
    80  
    VGS(off) = –2 V  
    VGS(off) = –4 V  
    V
    = 0 V  
    GS  
    60  
    60  
    VGS = 0 V  
    –0.5 V  
    –0.2 V  
    –0.4 V  
    40  
    40  
    –1.0 V  
    –1.5 V  
    –0.6 V  
    –0.8 V  
    20  
    0
    20  
    0
    –0.2 V  
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    0
    0.1  
    0.2  
    0.3  
    0.4  
    0.5  
    VDS – Drain-Source Voltage (V)  
    VDS – Drain-Source Voltage (V)  
    Turn-On Switching  
    Turn-Off Switching  
    5
    4
    30  
    t
    independent  
    d(off)  
    t approximately independent of ID  
    r
    of device VGS(off)  
    VDD = 1.5 V, VGS(L) = –10 V  
    VDD = 1.5 V, R = 50  
    ꢀ
    G
    V
    GS(L) = –10 V  
    24  
    18  
    12  
    6
    VGS(off) = –2 V  
    ID = 25 mA  
    t
    d(on)  
    t
    f
    3
    2
    1
    0
    ID = 10 mA  
    VGS(off) = –8 V  
    t
    d(off)  
    t
    r
    0
    0
    –2  
    –4  
    –6  
    –8  
    –10  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    VGS(off) – Gate-Source Cutoff Voltage (V)  
    ID – Drain Current (mA)  
    Document Number: 70245  
    S-04028—Rev. F, 04-Jun-01  
    www.vishay.com  
    7-3  
    2N5432/5433/5434  
    Vishay Siliconix  
    TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)  
    On-Resistance vs. Drain Current  
    On-Resistance vs. Temperature  
    50  
    40  
    ID = 10 mA  
    rDS changes X 0.7%/_C  
    T
    A
    = 25_C  
    40  
    30  
    20  
    32  
    24  
    16  
    VGS(off) = –2 V  
    V
    = –2 V  
    GS(off)  
    –4 V  
    –4 V  
    –8 V  
    –8 V  
    10  
    0
    8
    0
    1
    10  
    100  
    –55 –35 –15  
    5
    25  
    45  
    65  
    85 105 125  
    I
    D
    – Drain Current (mA)  
    T
    A
    – Temperature (_C)  
    Gate Leakage Current  
    Capacitance vs. Gate-Source Voltage  
    100 nA  
    100  
    80  
    T
    = 125_C  
    A
    VDS = 0 V  
    f = 1 MHz  
    ID = 10 mA  
    10 nA  
    1 nA  
    5 mA  
    60  
    1 mA  
    IGSS @ 125_C  
    100 pA  
    10 pA  
    1 pA  
    40  
    20  
    0
    5 mA  
    1 mA  
    C
    iss  
    T
    A
    = 25_C  
    C
    rss  
    10 mA  
    IGSS @ 25_C  
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    0
    –4  
    –8  
    –12  
    –16  
    –20  
    VGS – Gate-Source Voltage (V)  
    V
    DG – Drain-Gate Voltage (V)  
    Noise Voltage vs. Frequency  
    Transconductance vs. Drain Current  
    100  
    10  
    1
    100  
    VGS(off) = –4 V  
    VDS = 5 V  
    T
    A
    = –55_C  
    25_C  
    10  
    125_C  
    ID = 10 mA  
    VDS = 5 V  
    f = 1 kHz  
    ID = 40 mA  
    1
    10  
    100  
    1 k  
    10 k  
    100 k  
    1
    10  
    100  
    f – Frequency (Hz)  
    I
    D
    – Drain Current (mA)  
    Document Number: 70245  
    S-04028—Rev. F, 04-Jun-01  
    www.vishay.com  
    7-4  
    2N5432/5433/5434  
    Vishay Siliconix  
    TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)  
    Common Gate Input Admittance  
    Common Gate Forward Admittance  
    100  
    100  
    g
    ig  
    –g  
    fg  
    10  
    10  
    b
    fg  
    1
    1
    b
    ig  
    T
    V
    = 25_C  
    = 20 mA  
    A
    T
    V
    = 25_C  
    A
    DG = 20 V  
    DG = 20 V  
    I
    D
    ID = 20 mA  
    0.1  
    0.1  
    10  
    20  
    50  
    100  
    10  
    50  
    100  
    20  
    f – Frequency (MHz)  
    f – Frequency (MHz)  
    Common Gate Reverse Admittance  
    Common Gate Output Admittance  
    10  
    100  
    10  
    T
    V
    I
    = 25_C  
    A
    T
    V
    I
    = 25_C  
    A
    DG = 20 V  
    DG = 20 V  
    D = 20 mA  
    D = 20 mA  
    1.0  
    –g  
    rg  
    b
    og  
    –b  
    rg  
    g
    og  
    0.1  
    1
    0.01  
    0.1  
    10  
    20  
    50  
    100  
    10  
    20  
    f – Frequency (MHz)  
    50  
    100  
    f – Frequency (MHz)  
    VDD  
    SWITCHING TIME TEST CIRCUIT  
    R
    L
    2N5432  
    2N5433  
    2N5434  
    OUT  
    V
    –12 V  
    –12 V  
    –12 V  
    GS(L)  
    VGS(H)  
    R *  
    L
    145  
    ꢀ
    143  
    ꢀ
    140  
    ꢀ
    I
    10 mA  
    10 mA  
    10 mA  
    D(on)  
    V
    GS(L)  
    1 kΩ  
    51 Ω  
    51 Ω  
    V
    IN  
    Scope  
    *Non-inductive  
    INPUT PULSE  
    SAMPLING SCOPE  
    Rise Time < 1 ns  
    Fall Time < 1 ns  
    Pulse Width 100 ns  
    PRF 1 MHz  
    Rise Time 0.4 ns  
    Input Resistance 10 M  
    Input Capacitance 1.5 pF  
    ꢀ
    Document Number: 70245  
    S-04028—Rev. F, 04-Jun-01  
    www.vishay.com  
    7-5  
    配单直通车
    2N5433产品参数
    型号:2N5433
    生命周期：Obsolete
    IHS 制造商：TEMIC SEMICONDUCTORS
    包装说明：TO206AA(TO18), TO206AC(TO52)
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.75
    Is Samacsys：N
    配置：SINGLE
    最小漏源击穿电压：25 V
    最大漏源导通电阻：7 Ω
    FET 技术：JUNCTION
    JESD-30 代码：O-MBCY-W3
    元件数量：1
    端子数量：3
    工作模式：DEPLETION MODE
    封装主体材料：METAL
    封装形状：ROUND
    封装形式：CYLINDRICAL
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    认证状态：Not Qualified
    表面贴装：NO
    端子形式：WIRE
    端子位置：BOTTOM
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
    • 批号
    • 交易说明
    • 询价
  • 免费注册 忘记密码
    • 批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6
     复制成功！