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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市迈锐达科技有限公司

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  • 86-0755 QQ:603546486QQ:1181043992
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
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  • 755-83790645 QQ:2881664479
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 数量6500 
  • 厂家NSC 
  • 封装TO-92 
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  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
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  • 北京罗彻斯特电子科技有限公司

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  • 厂家MSC 
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  • ★原装现货,微波军工停产芯片优势,可出售样品研发选型BOM配单服务
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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 厂家SI台湾雷达公司 
  • 封装TO-92 
  • 批号99 
  • 原装 现货 专业SI台湾雷达公司供应商 优势库存热卖中!
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  • 深圳市顺兴源微电子商行

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  • 厂家FSC 
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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 厂家FSC袋装 
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  • 原装正品
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  • 0755-83227826 QQ:634389814

产品型号2N5486的概述

2N5486 芯片概述 2N5486 是一种广泛应用的N型场效应晶体管(FET),通常用于开关、放大及高频信号处理等多种电路中。它属于横流FET的一种,具有优良的输入阻抗和较小的功耗,因此在现代电子设备中广泛采用。该器件可用于各种应用场景,包括音频放大、信号调制和解调,以及其他需要高增益和低噪声特性的应用。 2N5486 具有较大的增益带宽积,适合用于高频率的信号处理,并能够提供良好的线性度。其所需的外围元件数量较少,简化了电路设计,因而受到工程师的青睐。除了技术规格外,2N5486 还具备良好的热稳定性,适合在各种工作环境下使用。 2N5486 详细参数 以下为 2N5486 的主要电气参数: - 类型:N型场效应晶体管 - 最大漏源电压 (V_DS):60V - 最大漏极电流 (I_D):25mA - 最大功耗 (P_D):250mW - 门极阈值电压 (V_GS(th)):1V ...

产品型号2N5486的Datasheet PDF文件预览

ON Semiconductort  
1 DRAIN  
JFET VHF/UHF Amplifiers  
N–Channel — Depletion  
2N5486  
3
GATE  
2 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
Drain–Gate Voltage  
Reverse Gate–Source Voltage  
Drain Current  
V
DG  
V
GSR  
25  
Vdc  
I
D
30  
mAdc  
mAdc  
1
Forward Gate Current  
I
10  
G(f)  
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
C
CASE 29–11, STYLE 5  
TO–92 (TO–226AA)  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
–25  
Vdc  
(BR)GSS  
(I = –1.0 µAdc, V  
DS  
= 0)  
G
Gate Reverse Current  
I
GSS  
(V  
GS  
(V  
GS  
= –20 Vdc, V  
= –20 Vdc, V  
= 0)  
–1.0  
–0.2  
nAdc  
µAdc  
DS  
DS  
= 0, T = 100°C)  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 10 nAdc)  
V
Vdc  
GS(off)  
–2.0  
8.0  
–6.0  
20  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
mAdc  
DSS  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0)  
GS  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance  
y
mmhos  
mmhos  
mmhos  
mmhos  
mmhos  
fs  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 kHz)  
= 0, f = 400 MHz)  
= 0, f = 1.0 kHz)  
= 0, f = 400 MHz)  
4000  
8000  
1000  
75  
GS  
GS  
GS  
Input Admittance  
(V = 15 Vdc, V  
Re(y )  
is  
DS  
Output Admittance  
(V = 15 Vdc, V  
y
os  
DS  
Output Conductance  
(V = 15 Vdc, V  
Re(y  
)
os  
Re(y  
100  
DS  
Forward Transconductance  
(V = 15 Vdc, V = 0, f = 400 MHz)  
GS  
)
fs  
3500  
DS  
GS  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
May, 2001 – Rev. 0  
2N5486/D  
2N5486  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (Continued)  
A
Characteristic  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS (continued)  
Input Capacitance  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
C
5.0  
1.0  
2.0  
pF  
pF  
pF  
iss  
rss  
oss  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 MHz)  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
C
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 MHz)  
= 0, f = 1.0 MHz)  
GS  
GS  
Output Capacitance  
(V  
DS  
C
= 15 Vdc, V  
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS  
ADMITTANCE PARAMETERS  
(V  
= 15 Vdc, T  
= 25°C)  
DS  
channel  
30  
5.0  
20  
3.0  
2.0  
b
@ I  
DSS  
10  
7.0  
5.0  
is  
b
rs  
@ I  
DSS  
1.0  
0.7  
0.5  
0.25 I  
DSS  
3.0  
2.0  
g
is  
@ I  
DSS  
0.3  
0.2  
g
@ 0.25 I  
DSS  
is  
1.0  
0.7  
0.5  
0.1  
g
rs  
@ I , 0.25 I  
DSS  
DSS  
500 700  
b
is  
@ 0.25 I  
DSS  
0.07  
0.05  
0.3  
10  
20 30  
50 70 100  
200 300  
1000  
10  
20 30  
50 70 100  
200 300  
1000  
500 700  
f, FREQUENCY (MHz)  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 1. Input Admittance (y )  
is  
Figure 2. Reverse Transfer Admittance (y )  
rs  
20  
10  
10  
5.0  
b
os  
@ I  
DSS  
and 0.25 I  
DSS  
7.0  
5.0  
2.0  
1.0  
g
fs  
@ I  
DSS  
g
fs  
@ 0.25 I  
DSS  
3.0  
2.0  
0.5  
0.2  
0.1  
g
@ I  
DSS  
os  
1.0  
0.7  
0.5  
|b | @ I  
fs  
DSS  
0.05  
|b | @ 0.25 I  
fs  
DSS  
g
@ 0.25 I  
DSS  
os  
0.02  
0.01  
0.3  
0.2  
10  
20 30  
50 70 100  
200 300  
1000  
10  
20 30  
50 70 100  
f, FREQUENCY (MHz)  
200 300  
1000  
500 700  
500 700  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 3. Forward Transadmittance (y  
)
fs  
Figure 4. Output Admittance (y )  
os  
http://onsemi.com  
2
2N5486  
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS  
S–PARAMETERS  
(V  
= 15 Vdc, T  
= 25°C, Data Points in MHz)  
DS  
channel  
30°  
20°  
10°  
0°  
350°  
340°  
= 0.25 I  
330°  
30°  
20°  
10°  
0°  
350°  
340°  
330°  
I
100  
D
DSS  
1.0  
40°  
50°  
40°  
50°  
0.4  
320°  
320°  
310°  
200  
300  
100  
200  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.3  
400  
500  
600  
700  
800  
310°  
I
= I  
, 0.25 I  
D
DSS  
DSS  
800  
300  
900  
700  
500  
0.2  
0.1  
I
= I  
DSS  
D
60°  
70°  
300°  
290°  
60°  
70°  
300°  
290°  
400  
500  
600  
400  
600  
80°  
90°  
280°  
270°  
260°  
80°  
90°  
280°  
270°  
260°  
300  
200  
0.0  
700  
800  
900  
900  
100  
100°  
100°  
110°  
120°  
250°  
240°  
110°  
120°  
250°  
240°  
130°  
140°  
230°  
220°  
130°  
140°  
230°  
220°  
150°  
30°  
160°  
20°  
170°  
180°  
190°  
200°  
210°  
330°  
150°  
30°  
160°  
170°  
180°  
190°  
200°  
210°  
330°  
Figure 5. S  
Figure 6. S  
12s  
11s  
10°  
0°  
350°  
340°  
20°  
10°  
0°  
350°  
340°  
100  
1.0  
200  
I
= 0.25 I  
DSS  
D
300  
40°  
50°  
40°  
50°  
320°  
310°  
320°  
310°  
400  
500  
600  
700  
800  
100  
200  
300  
400  
500  
600  
700  
800  
0.9  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
I
= I  
DSS  
D
900  
900  
0.8  
0.7  
0.6  
60°  
70°  
300°  
290°  
60°  
70°  
300°  
290°  
900  
800  
800  
900  
80°  
90°  
280°  
270°  
260°  
80°  
90°  
280°  
270°  
260°  
700  
600  
500  
400  
I
= 0.25 I  
DSS  
700  
600  
D
500  
400  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
100°  
100°  
100  
110°  
120°  
300  
250°  
240°  
110°  
120°  
250°  
240°  
200  
100  
300  
I
= I  
DSS  
200  
D
130°  
140°  
230°  
220°  
130°  
140°  
230°  
220°  
150°  
160°  
170°  
180°  
190°  
200°  
210°  
150°  
160°  
170°  
180°  
190°  
200°  
210°  
Figure 7. S  
Figure 8. S  
22s  
21s  
http://onsemi.com  
3
2N5486  
COMMON GATE CHARACTERISTICS  
ADMITTANCE PARAMETERS  
(V  
= 15 Vdc, T  
= 25°C)  
DG  
channel  
0.5  
20  
0.3  
0.2  
10  
7.0  
5.0  
b
rg  
@ I  
DSS  
g
@ I  
DSS  
ig  
0.1  
0.07  
0.05  
3.0  
2.0  
g
rg  
@ 0.25 I  
DSS  
0.25 I  
DSS  
0.03  
0.02  
1.0  
0.7  
0.5  
b
ig  
@ I  
DSS  
0.01  
b
@ 0.25 I  
DSS  
ig  
g
ig  
@ I , 0.25 I  
DSS  
DSS  
0.3  
0.2  
0.007  
0.005  
10  
20 30  
50 70 100  
200 300  
1000  
10  
20 30  
50 70 100  
200 300  
1000  
500 700  
500 700  
f, FREQUENCY (MHz)  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 9. Input Admittance (y  
ig  
)
Figure 10. Reverse Transfer Admittance (y  
)
rg  
10  
1.0  
0.7  
0.5  
g
fg  
@ I  
DSS  
b
og  
@ I , 0.25 I  
DSS DSS  
7.0  
5.0  
3.0  
2.0  
g
fg  
@ 0.25 I  
DSS  
0.3  
0.2  
1.0  
0.1  
0.7  
0.5  
0.07  
0.05  
g
og  
@ I  
DSS  
b
fg  
@ I  
DSS  
0.3  
0.2  
0.03  
0.02  
b
rg  
@ 0.25 I  
DSS  
g
og  
@ 0.25 I  
DSS  
0.1  
0.01  
10  
20 30  
50 70 100  
200 300  
1000  
10  
20 30  
50 70 100  
200 300  
1000  
500 700  
500 700  
f, FREQUENCY (MHz)  
f, FREQUENCY (MHz)  
Figure 11. Forward Transfer Admittance (y  
fg  
)
Figure 12. Output Admittance (y )  
og  
http://onsemi.com  
4
2N5486  
COMMON GATE CHARACTERISTICS  
S–PARAMETERS  
(V  
= 15 Vdc, T  
= 25°C, Data Points in MHz)  
DS  
channel  
30°  
20°  
10°  
0°  
350°  
340°  
330°  
30°  
20°  
10°  
0°  
350°  
340°  
330°  
0.7  
40°  
50°  
40°  
50°  
320°  
0.04  
320°  
310°  
I
= 0.25 I  
DSS  
D
100  
200  
200  
300  
0.6  
100  
0.03  
0.02  
0.01  
0.0  
400  
500  
310°  
600  
700  
300  
0.5  
400  
500  
600  
60°  
70°  
300°  
290°  
60°  
70°  
300°  
290°  
800  
900  
I
= I  
D
DSS  
0.4  
0.3  
700  
80°  
90°  
280°  
270°  
260°  
80°  
90°  
280°  
270°  
260°  
800  
900  
100  
500  
600  
600  
100°  
100°  
I
= 0.25 I  
DSS  
D
I
= I  
DSS  
D
700  
110°  
120°  
250°  
240°  
110°  
120°  
250°  
240°  
0.01  
0.02  
700  
800  
800  
900  
130°  
140°  
230°  
220°  
130°  
140°  
230°  
220°  
900  
0.03  
0.04  
150°  
30°  
160°  
20°  
170°  
180°  
190°  
200°  
210°  
330°  
150°  
30°  
160°  
20°  
170°  
180°  
190°  
200°  
210°  
330°  
Figure 13. S  
Figure 14. S  
12g  
11g  
10°  
0°  
350°  
340°  
10°  
0°  
1.5  
1.0  
350°  
300  
340°  
500  
0.5  
40°  
50°  
40°  
50°  
320°  
310°  
320°  
310°  
200  
400  
700  
800  
, 0.25 I  
100  
600  
100  
900  
0.4  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
I
= I  
DSS  
D
I
= I  
DSS  
100  
D
DSS  
0.3  
0.2  
60°  
70°  
300°  
290°  
60°  
70°  
300°  
290°  
I
= 0.25 I  
DSS  
D
80°  
90°  
280°  
270°  
260°  
80°  
90°  
280°  
270°  
260°  
0.1  
900  
900  
100°  
100°  
110°  
120°  
250°  
240°  
110°  
120°  
250°  
240°  
130°  
140°  
230°  
220°  
130°  
140°  
230°  
220°  
150°  
160°  
170°  
180°  
190°  
200°  
210°  
150°  
160°  
170°  
180°  
190°  
200°  
210°  
Figure 15. S  
Figure 16. S  
22g  
21g  
http://onsemi.com  
5
2N5486  
PACKAGE DIMENSIONS  
TO–92 (TO–226AA)  
CASE 29–11  
ISSUE AL  
NOTES:  
A
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
B
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R  
IS UNCONTROLLED.  
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND  
BEYOND DIMENSION K MINIMUM.  
R
P
L
INCHES  
DIM MIN MAX  
MILLIMETERS  
SEATING  
PLANE  
K
MIN  
4.45  
4.32  
3.18  
0.407  
1.15  
2.42  
0.39  
12.70  
6.35  
2.04  
---  
MAX  
5.20  
5.33  
4.19  
0.533  
1.39  
2.66  
0.50  
---  
A
B
C
D
G
H
J
0.175  
0.170  
0.125  
0.016  
0.045  
0.095  
0.015  
0.500  
0.250  
0.080  
---  
0.205  
0.210  
0.165  
0.021  
0.055  
0.105  
0.020  
---  
D
X X  
G
J
H
V
K
L
---  
---  
C
N
P
R
V
0.105  
0.100  
---  
2.66  
2.54  
---  
SECTION X–X  
0.115  
0.135  
2.93  
3.43  
1
N
---  
---  
N
STYLE 5:  
PIN 1. DRAIN  
2. SOURCE  
3. GATE  
http://onsemi.com  
6
2N5486  
Notes  
http://onsemi.com  
7
2N5486  
ON Semiconductor and  
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2N5486/D  
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是否Rohs认证: 不符合
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风险等级:5.62
FET 技术:JUNCTION
JESD-609代码:e0
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极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.31 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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