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2N5550TA产品参数
型号:2N5550TA
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
制造商包装代码:135AR
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:0.74
最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:140 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1
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