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2N5611产品参数
型号:2N5611
生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.28
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-66
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHz
VCEsat-Max:0.75 V
Base Number Matches:1
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