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2N5770产品参数
型号:2N5770
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.05
最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:1.1 pF
集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.7 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):900 MHz
VCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1
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