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TYSEMI 2N60
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RDS(ON) = 3.8 VGS = 10V. Low gate charge ( typical 9.0 nC). Low Crss ( typical 5.0 pF).
RDS(ON) = 3.8 VGS = 10V。低栅极电荷(典型值9.0 NC) 。低的Crss (典型值5.0 pF的) 。
栅极
UTC-IC 2N60
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2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
2安培, 600/650伏特N沟道功率MOSFET
ESTEK 2N60
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N2 Amps,600Volts N-Channel MOSFET
N2安培, 600Volts N沟道MOSFET
UTC-IC 2N60
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2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
2A , 600V N沟道功率MOSFET
CONSONANCE 2N60
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华晶国内一线品牌,保证质量
UTC-IC 2N60
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MOS
UTC-IC 2N60
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2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
2安培, 600伏特N沟道MOSFET
UTC-IC 2N60_11
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2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
2安培, 600/650伏特N沟道功率MOSFET
UTC-IC 2N60_12
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2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
2A , 600V N沟道功率MOSFET
icpdf_datasheet 2N6000
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | NPN | 25V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6001
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | PNP | 25V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6002
中文翻译
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | NPN | 25V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6003
中文翻译
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | PNP | 25V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6004
中文翻译
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | NPN | 40V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 92VAR
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6005
中文翻译
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | PNP | 40V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6006
中文翻译
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | NPN | 40V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 92VAR
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6007
中文翻译
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | PNP | 40V V( BR ) CEO | 500MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
VISHAY 2N6008 Transistor,
VISHAY 2N6009 Transistor
icpdf_datasheet 2N6010
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | NPN | 40V V( BR ) CEO | 800MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6011
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | PNP | 40V V( BR ) CEO | 800MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6012
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | NPN | 40V V( BR ) CEO | 800MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6013
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | PNP | 40V V( BR ) CEO | 800MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6014
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | NPN | 60V V( BR ) CEO | 800MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6015
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | PNP | 60V V( BR ) CEO | 800MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6016
中文翻译
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
晶体管| BJT | NPN | 60V V( BR ) CEO | 800MA I(C ) | TO- 92\n
晶体晶体管
icpdf_datasheet 2N6017
中文翻译
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
晶体管| BJT | PNP | 60V V( BR ) CEO | 800MA I(C ) | TO- 92VAR\n
晶体晶体管
NJSEMI 2N6027
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SILICON PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTORS
硅可编程单结晶体管
晶体晶体管可编程单结晶体管PC
ONSEMI 2N6027
中文翻译
Programmable Unijunction Transistor
可编程单结晶体管
晶体晶体管可编程单结晶体管PC
icpdf_datasheet 2N6027
中文翻译
PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR
可编程单结晶体管
晶体晶体管可编程单结晶体管PC
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2N60详细参数

生命周期
Active
IHS 制造商
API TECHNOLOGIES CORP
Reach Compliance Code
compliant
风险等级
5.72
其他特性
N-F; N-M, I/P POWER-MAX(PEAK)=250W
标称衰减
60 dB
特性阻抗
50 Ω
构造
COAXIAL
最大输入功率 (CW)
33.01 dBm
JESD-609代码
e4
最大工作频率
2500 MHz
最小工作频率
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-65 °C
射频/微波设备类型
FIXED ATTENUATOR
端子面层
GOLD
最大电压驻波比
1.15
Base Number Matches
1
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