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2N6093产品参数
型号:2N6093
生命周期:Active
IHS 制造商:ASI SEMICONDUCTOR INC
零件包装代码:TO-217
包装说明:POST/STUD MOUNT, X-XUPM-P4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.65
Is Samacsys:N
其他特性:WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
最大集电极电流 (IC):10 A
基于收集器的最大容量:250 pF
集电极-发射极最大电压:35 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):20
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-217
JESD-30 代码:X-XUPM-P4
元件数量:1
端子数量:4
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):83 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:UPPER
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1
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