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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 深圳市西源信息科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

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  • 深圳市意好科技有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 深圳市富莱微科技有限公司

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  • 厂家ON Semiconductor 
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  • 深圳市思诺康科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 厂家SPTECH(深圳质超) 
  • 封装TO-3 
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  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 封装TO 3 SINGLE DIE 2 
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  • 房间现货,价格优势。
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产品型号2N6287的概述

芯片2N6287的详尽分析 概述 2N6287是一种NPN功率晶体管,广泛应用于电子电路和功率放大器。由于其优良的性能和稳定性,它在许多领域中都得到了广泛的应用。这种晶体管设计用于处理高电压和大电流,是许多放大和开关应用的理想选择。在现代工业和消费电子产品中,2N6287因其高效能而受到青睐。 详细参数 在讨论2N6287的性能时,了解其电气特性至关重要。以下是2N6287的关键参数: - 极性:NPN - 最大集电极电压(V_CE):80V - 最大集电极电流(I_C):15A - 最大功耗(P_D):125W - 最大结温(T_j):150°C - 增益(h_FE):50-150(在典型工作条件下) - 封装:TO-3 - 工作频率:1MHz - 输入阻抗:高输入阻抗,适合驱动高功率负载 厂家、包装与封装 2N6287通常由多个半导体制造商生产,包括ON Semiconduct...

产品型号2N6287的Datasheet PDF文件预览

2N6284  
2N6287  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER DARLINGTON TRANSISTORS  
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES  
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES  
INTEGRATED ANTIPARALLEL  
COLLECTOR-EMITTER DIODE  
APPLICATIONS  
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL  
EQUIPMENT  
1
2
DESCRIPTION  
The 2N6284 is a silicon epitaxial-base NPN  
power transistor in monolithic Darlington  
configuration mounted in Jedec TO-3 metal case.  
TO-3  
It is inteded for general purpose amplifier and low  
frequency switching applications.  
The complementary PNP types is 2N6287.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
R1 Typ. = 8 KΩ  
R2 Typ. = 60 Ω  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
NPN  
PNP  
2N6284  
2N6287  
100  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
V
V
100  
5
V
20  
A
ICM  
IB  
Collector Peak Current  
Base Current  
40  
A
0.5  
A
o
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total Dissipation at Tc 25 C  
160  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 200  
200  
Max. Operating Junction Temperature  
For PNP types voltage and current values are negative.  
1/4  
June 1997  
2N6284 / 2N6287  
THERMAL DATA  
Rthj-case Thermal Resistance Junction-case  
Max  
1.09  
oC/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
VCE = rated VCEO  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
ICEV  
Collector Cut-off  
Current (VBE = -1.5V)  
0.5  
5
mA  
mA  
o
VCE = rated VCEO Tc = 150 C  
ICEO  
IEBO  
Collector Cut-off  
Current (IB = 0)  
VCE = 50 V  
1
mA  
mA  
V
Emitter Cut-off Current VEB = 5 V  
(IC = 0)  
2
VCEO(sus) Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
IC = 100 mA  
100  
VCE(sat)  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
IC = 10 A  
IC = 20 A  
IB = 40 mA  
IB = 200 mA  
2
3
V
V
VBE(sat)  
Base-Emitter  
IC = 20 A  
IB = 200 mA  
4
V
Saturation Voltage  
VBE  
hFE  
Base-Emitter Voltage  
DC Current Gain  
IC = 10 A  
VCE = 3 V  
2.8  
V
IC = 10 A  
IC = 20 A  
VCE = 3 V  
VCE = 3 V  
750  
100  
18000  
hfe  
Small Signal Current  
Gain  
IC = 3 A  
VCE = 10 V  
f = 1KHz  
f = 100KHz  
300  
CCBO  
Collector Base  
Capacitance  
IE = 0  
for NPN types  
for PNP types  
VCB = 10 V  
400  
600  
pF  
pF  
Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %  
2/4  
2N6284 / 2N6287  
TO-3 MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
TYP.  
DIM.  
MIN.  
11.00  
0.97  
TYP.  
MAX.  
13.10  
1.15  
MIN.  
0.433  
0.038  
0.059  
0.327  
0.748  
0.421  
0.649  
0.984  
0.157  
1.515  
1.187  
MAX.  
0.516  
0.045  
0.065  
0.351  
0.787  
0.437  
0.677  
1.023  
0.161  
1.547  
1.193  
A
B
C
D
E
G
N
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R
U
V
1.50  
1.65  
8.32  
8.92  
19.00  
10.70  
16.50  
25.00  
4.00  
20.00  
11.10  
17.20  
26.00  
4.09  
38.50  
30.00  
39.30  
30.30  
A
D
P
C
G
R
P003F  
3/4  
2N6284 / 2N6287  
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配单直通车
2N6287产品参数
型号:2N6287
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.62
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):20 A
基于收集器的最大容量:600 pF
集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:160 W
最大功率耗散 (Abs):160 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHz
VCEsat-Max:3 V
Base Number Matches:1
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