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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市楚胜电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市能元时代电子有限公司

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  • 深圳市潮南大宇电子有限公司

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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2N6322产品参数
型号:2N6322
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.83
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:200 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):6
JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):200 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHz
Base Number Matches:1
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