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2N6517G产品参数
型号:2N6517G
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
零件包装代码:TO-92
包装说明:CASE 29-11, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:29-11
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.05
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.625 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHz
最大关闭时间(toff):3500 ns
最大开启时间(吨):200 ns
Base Number Matches:1
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