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| 型号: | 2N6661JTVP02 |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 90 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.86 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.86 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 6.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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