2N6758产品参数

品牌：Microsemi Corporation

描述：MOSFET N-CH 200V TO-3

详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA

制造商：Microsemi Corporation

系列：-

包装：散装

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：490 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：39nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：4W（Ta），75W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-204AA

封装/外壳：TO-204AA，TO-3

标准包装：1

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）