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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 厂家IR 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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2N6762产品参数
型号:2N6762
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:TO-3
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.11
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4.5 A
最大漏极电流 (ID):4.5 A
最大漏源导通电阻:1.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):18 A
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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