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  • 千层芯半导体(深圳)有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市意好科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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产品型号2N6766的概述

芯片2N6766的概述 2N6766是一个广泛应用于电子电路中的双极型晶体管,属于NPN型晶体管。作为一种高频功率增强器,2N6766具有良好的电流放大特性,常用于音频放大、电机驱动以及开关应用中。这种晶体管特别适合在需要高功率增益和良好线性特性的场景下使用。因此,2N6766被广泛应用于各类消费电子、工业设备以及通信产品中。 2N6766的电气特性优良,能够在多种环境条件下稳定作业。在小型电路设计中,这种器件的重要性不言而喻,尤其是在现代电子产品持续向小型化和高集成度发展的背景下,2N6766提供的高性能恰恰契合了这些需求。 芯片2N6766的详细参数 对于2N6766,其基本的电气参数包括: 1. 最大集电极-发射极电压(V_CE):45V 2. 最大集电极电流(I_C):5A 3. 最大功耗(P_D):65W 4. 直流电流增益(h_FE):范围通常在40到250之间,具体数值与...

产品型号2N6766的Datasheet PDF文件预览

配单直通车
2N6766产品参数
型号:2N6766
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.63
Is Samacsys:N
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.085 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204
JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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