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2N6782产品参数
型号:2N6782
是否无铅: 含铅
生命周期:Transferred
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.01
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):68 mJ
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):14 A
认证状态:Not Qualified
参考标准:MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装:NO
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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