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品牌:Microsemi Corporation
描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF
详细描述:通孔 N 沟道 100V 6A(Tc) 800mW(Tc) TO-39
制造商:Microsemi Corporation
系列:-
包装:散装
零件状态:停產
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):300 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):800mW(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-39
封装/外壳:TO-205AF 金属罐
标准包装:1
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