欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
所在地: 型号: 精确
  • 批量询价
  •  
  • 供应商
  • 型号
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
更多

    2N68(/13)相关文章

配单直通车
2N6800产品参数
型号:2N6800
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.05
其他特性:RADIATION HARDENED
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):80 pF
JEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):14 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):90 ns
最大开启时间(吨):65 ns
Base Number Matches:1
  •  
  • 供货商
  • 型号*
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。