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  • 集好芯城

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  • 厂家SILICONIX 
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  • 批号19+ 
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  • 集好芯城

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  • 厂家IR/国际整流器 
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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 厂家ir 
  • 封装1/bulk 
  • 批号16+ 
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  • 厂家Microsemi/美高森美 
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  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • 厂家IR 
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  • 批号2018+ 
  • “芯达集团”专营军工百分之百原装进口
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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 湖人半导体(深圳)有限公司

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  • 厂家MICROSEMI/美高森美 
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  • 深圳市朝华半导体有限公司

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  • 厂家IR 
  • 封装CAN3 
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  • 八零友创集团

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  • 厂家HAR 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 厂家Microsemi 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 上海贝尔电子有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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2N6849产品参数

品牌:Microsemi Corporation

描述:MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39

详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39

制造商:Microsemi Corporation

系列:-

包装:散装

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):320 毫欧 @ 6.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):34.8nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):800mW(Ta),25W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-39

封装/外壳:TO-205AF 金属罐

标准包装:1

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