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2N7002-7产品参数

品牌:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23-3

制造商:Diodes Incorporated

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):370mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SOT-23-3

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装:3,000

其它名称:2N7002DI 2N7002DITR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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