2N7002-7产品参数

品牌：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 370mW（Ta） SOT-23-3

制造商：Diodes Incorporated

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：115mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：370mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23-3

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：2N7002DI 2N7002DITR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）