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2N7002V-7产品参数
型号:2N7002V-7
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:DIODES INC
包装说明:GREEN, PLASTIC PACKAGE-6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:7.49
其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.28 A
最大漏极电流 (ID):0.28 A
最大漏源导通电阻:13.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):5 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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