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| 型号: | 2SA1015-GR |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | TOSHIBA CORP |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 基于收集器的最大容量： | 7 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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