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2SA1163产品参数
型号:2SA1163
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.44
Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200
JEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:0.15 W
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1
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