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| 型号: | 2SA1862/N |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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