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2SA2012-TD-E产品参数
型号:2SA2012-TD-E
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SC-62, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:419AU
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:5 weeks
风险等级:1.52
Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200
JEDEC-95代码:TO-243
JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):3.5 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):350 MHz
Base Number Matches:1
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