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产品型号2SC4466的概述

芯片2SC4466的概述 2SC4466是一款常见的NPN型双极性晶体管,属于中小功率的器件,广泛应用于各种电子电路中。它的设计初衷是为了在高频信号放大、开关电源、音频放大器等领域发挥作用。2SC4466凭借其优良的参数以及相对较低的成本,成为了许多电子工程师和爱好者首选的元件之一。 芯片2SC4466的详细参数 在具体参数方面,2SC4466具有以下主要技术指标: - 类型:NPN晶体管 - 最大集电极电压 (Vce):60V - 最大集电极电流 (Ic):3A - 最大功耗 (Ptot):30W - 增益带宽积 (fT):150MHz - 直流电流增益 (hFE):200-600(在1A的Ic下) - 结温范围 (Tj):-55°C到+150°C - 封装类型:TO-220 这些参数使得2SC4466在许多应用上都展现出了优秀的性能,特别是在高频或中等功率的应用场景。 芯片2SC...

产品型号2SC4466的Datasheet PDF文件预览

2 S C4 4 6 6  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1693)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
Symbol  
2SC4466  
2SC4466  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
ICBO  
±0.1  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
120  
10max  
10max  
80min  
VCB=120V  
2.0  
V
9.6  
IEBO  
80  
VEB=6V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
6
IC=50mA  
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
50min  
6
3
VCE=4V, IC=2A  
IC=2A, IB=0.2A  
VCE=12V, IE=0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
A
VCE(sat)  
fT  
IB  
1.5max  
20typ  
V
MHz  
pF  
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
COB  
Tj  
110typ  
3
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
Tstg  
–55 to +150  
hFE Rank O(50 to100), P(70 to140), Y(90 to180)  
1.05  
0.65  
1.4  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
VCC  
(V)  
RL  
()  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
ton  
(µs)  
b. Lot No.  
30  
10  
3
10  
–5  
0.3  
–0.3  
2.60typ  
0.34typ  
0.16typ  
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
6
6
3
4
2
0
2
4
2
0
30mA  
20mA  
1
IB=10mA  
IC=6A  
4A  
2A  
0.5  
Base Current IB(A)  
0
0
1
2
3
4
0
1.0  
1.5  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
1
300  
100  
200  
125˚C  
100  
50  
25˚C  
Typ  
–30˚C  
50  
30  
0.5  
0.3  
20  
0.02  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5 6  
0.02  
0.1  
0.5  
1
5 6  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
20  
10  
5
60  
40  
20  
40  
30  
20  
1ms  
10ms  
DC  
Typ  
1
0.5  
10  
0
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.1  
–0.02  
–0.1  
–1  
–6  
5
10  
50  
100  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
106  
配单直通车
2SC4466产品参数
型号:2SC4466
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ALLEGRO MICROSYSTEMS LLC
零件包装代码:TO-3P
包装说明:TO-3P, 3 PIN
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.34
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:60 W
最大功率耗散 (Abs):60 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHz
VCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1
  •  
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