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产品型号2SC4617的概述

芯片2SC4617的概述 2SC4617 是一种广泛应用的 NPN 型晶体管，这种器件因其优良的性能而在电子产品设计中备受欢迎。作为一种普遍的中频放大和开关应用的半导体器件，2SC4617 在通信、音频放大器和其他多种应用场景中具有重要的作用。该晶体管不仅具备较好的增益特性，而且其频率特性也适合高频工作场景。芯片2SC4617的详细参数 2SC4617 的主要电气参数非常出色，常见的参数包括： 1. 集电极至发射极电压（Vce）: 该参数通常为 50V，这意味着2SC4617 可以在相对较高的电压下正常工作而不会损坏。 2. 发射极至基极电压（Veb）: 在此管子中，Veb 的最大值通常为 6V，确保在不同极性连接中晶体管不会损坏。 3. 最大集电极电流（Ic）: 2SC4617 的集电极电流最大可达到 1.5A，提供了较强的电流驱动能力，适合推动负载。 4. 直...

产品型号2SC4617的Datasheet PDF文件预览

2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 /

2SC5658 / 2SC1740S

Transistors

General purpose transistor (50V, 0.15A)

2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658 /

2SC1740S

!External dimensions (Units : mm)

!Features

1) Low Cob.

2SC2412K

2SC4081

2SC4617

Cob=2.0pF (Typ.)

( )

2) Complements the 2SA1037AK /

2SA1576A / 2SA1774H /

2SA2029 / 2SA933AS.

( )

1.25

2.1

0.8

1.6

2.8

0.1Min.

0.3Min.

Each lead has same dimensions

!Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

ROHM : UMT3

EIAJ : SC-70

(1) Emitter

(2) Base

ROHM : EMT3

EIAJ : SC-75A

(1) Emitter

(2) Base

ROHM : SMT3

EIAJ : SC-59

(1) Emitter

(2) Base

JEDEC : SOT-323

(3) Collector

JEDEC : SOT-416

(3) Collector

JEDEC : SOT-346

(3) Collector

Abbreviated symbol: B*

2SC5658

2SC1740S

4±

0.2

2±0.2

1.2

0.2 0.8 0.2

( )

(3)

( )

+0.15

0.45

−0.05

0.15Max.

+0.15

+0.4

0.45

−0.05

2.5

0.5

−

0.1

(1) (2) (3)

(1) Base

(1) Emitter

ROHM : VMT3

(2) Emitter

(3) Collector

ROHM

EIAJ

: SPT

SC-72

(2) Collector

(3) Base

Abbreviated symbol: B*

* Denotes hFE

!Absolute maximum (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

0.15

0.2

2SC2412K, 2SC4081

Collector power

2SC4617, 2SC5658

dissipation

0.15

0.3

2SC1740S

Junction temperature

150

°C

Storage temperature

Tstg

−55~+150

2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 /

2SC5658 / 2SC1740S

Transistors

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol Min.

Typ.

−

Max.

−

Unit

Conditions

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

=50µA

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

−

C=1mA

−

E=50µA

CBO

EBO

CE(sat)

−

0.1

560

0.4

−

µA

−

CB=60V

−

Emitter cutoff current

EB=7V

CE=6V, I

/I =50mA/5mA

120

−

=1mA

DC current transfer ratio

−

C B

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

−

180

MHz

CE=12V, I

=−2mA, f=100MHz

Cob

−

3.5

=0A, f=1MHz

Output capacitance

!Packaging specifications and h^FE

Taping

Bulk

Package

Code

T146

T106

3000

−

T2L

Basic ordering

unit (pieces)

3000

8000

5000

hFE

Type

2SC2412K QRS

−

2SC4081

2SC4617

2SC5658

QRS

−

2SC1740S QRS

−

h^FEvalues are classified as follows :

Item

hFE

120~270

180~390

270~560

!Electrical characterristic curves

0.50mA

100

Ta=25°C

30µA

CE=6V

Ta=25°C

27µA

24µA

21µA

0.30mA

0.25mA

0.20mA

0.15mA

18µA

15µA

12µA

9µA

100

0.10mA

0.05mA

0.5

6µA

3µA

0.2

0.1

IB=0A

=0A

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6

BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)

Fig.2 Grounded emitter output

Fig.3 Grounded emitter output

Fig.1 Grounded emitter propagation

characteristics

characteristics ( Ι )

characteristics ( ΙΙ )

2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 /

2SC5658 / 2SC1740S

Transistors

500

0.5

Ta=25°C

VCE=5V

Ta=100°C

0.2

25°C

CE=5V

200

100

200

100

−55°C

C/I

=50

0.1

0.05

0.02

0.01

0.2 0.5

10 20 50 100 200

(mA)

0.2 0.5

10 20 50 100 200

(mA)

0.2 0.5

10 20 50 100 200

(mA)

COLLECTOR CURRENT : I

Fig.4 DC current gain vs.

Fig.5 DC current gain vs.

Fig. 6 Collector-emitter saturation

voltage vs. collector current

collector current ( Ι )

collector current ( ΙΙ )

0.5

0.2

0.5

IC/IB=10

IC/IB=50

Ta=25°C

CE=6V

500

200

Ta=100°C

25°C

0.2

0.1

−55°C

Ta=100°C

25°C

0.1

−55°C

0.05

0.02

0.01

100

0.02

0.01

0.2 0.5

10 20 50 100 200

(mA)

0.2

0.5

50 100

−0.5 −1

−2

−5 −10 −20

−50 −100

COLLECTOR CURRENT : I

(mA)

EMITTER CURRENT : I

(mA)

Fig.7 Collector-emitter saturation

Fig.8 Collector-emitter saturation

Fig.9 Gain bandwidth product vs.

emitter current

voltage vs. collector current ( Ι )

voltage vs. collector current (ΙΙ)

Ta=25°C

f=32MH

200

100

=1MHz

CB=6V

=0A

−0.2

−0.5

−1

−2

−5

(mA)

−10

0.2

0.5

10 20

EMITTER CURRENT : I

COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)

EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)

Fig.11 Base-collector time constant

vs. emitter current

Fig.10 Collector output capacitance vs.

collector-base voltage

Emitter input capacitance vs.

emitter-base voltage

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