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产品型号2SC5099的概述

芯片2SC5099的概述 2SC5099是一种常用的NPN功率晶体管,广泛应用于音频放大器、开关电源以及其他高频和音频应用中。由于其良好的电气特性和相对较高的功率处理能力,该组件在电子设备中扮演着重要的角色。 该晶体管的优点主要体现在其高增益、高电流承载能力和相对较低的饱和电压。这使得2SC5099特别适合于需要高效率和低热设计的应用。此外,其封装形式使得热管理更为便捷,这也是促进其在电子市场上受欢迎的重要因素之一。 芯片2SC5099的详细参数 芯片2SC5099的主要电气参数包括: - 最大集电极电压(VCE):80V - 最大集电极电流(IC):15A - 最大功率(Ptot):60W - 增益带宽积(fT):150MHz - 直流电流增益(hFE):在IC = 4A时,范围通常为30到150 这些参数使得2SC5099在各种应用中表现良好,能够处理来自负载的高电流和高电压,并...

产品型号2SC5099的Datasheet PDF文件预览

2 S C5 0 9 9  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1907)  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Electrical Characteristics  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions FM100(TO3PF)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
2SC5099  
Symbol  
Conditions  
Unit  
V
2SC5099  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
120  
ICBO  
VCB=120V  
10max  
10max  
80min  
80  
IEBO  
VEB=6V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=50mA  
6
V
±0.2  
ø3.3  
VCE=4V, IC=2A  
IC=2A, IB=0.2A  
VCE=12V, IE=0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
50min  
6
3
A
a
b
IB  
VCE(sat)  
fT  
V
MHz  
pF  
0.5max  
20typ  
A
PC  
60(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
Tj  
COB  
110typ  
1.75  
0.8  
2.15  
+0.2  
Tstg  
–55 to +150  
hFE Rank O(50 to 100), P(70 to 140), Y(90 to 180)  
1.05  
-0.1  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
Weight : Approx 6.5g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
RL  
()  
IB2  
(A)  
B
E
30  
3
10  
–5  
0.3  
0.16typ  
2.60typ 0.34typ  
10  
–0.3  
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
6
6
3
4
2
0
2
4
2
0
30mA  
20mA  
1
IB=10mA  
IC=6A  
4A  
2A  
0.5  
Base Current IB(A)  
0
0
1
2
3
4
0
1.0  
1.5  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
1
300  
100  
200  
125˚C  
100  
25˚C  
Typ  
–30˚C  
50  
50  
30  
0.5  
0.3  
20  
0.02  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.5  
Collector Current IC(A)  
0.1  
0.5  
1
5 6  
0.02  
0.1  
1
5 6  
Collector Current IC(A)  
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
20  
10  
5
60  
40  
20  
40  
30  
20  
1ms  
10ms  
DC  
Typ  
1
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
10  
0
Without Heatsink  
3.5  
0
0.1  
–0.02  
–0.1  
–1  
–6  
5
10  
50  
100  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
125  
配单直通车
2SC5099产品参数
型号:2SC5099
生命周期:Active
IHS 制造商:NEW JERSEY SEMICONDUCTOR PRODUCTS INC
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.71
Base Number Matches:1
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