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2SJ306产品参数
型号:2SJ306
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SANYO ELECTRIC CO LTD
零件包装代码:TO-220ML
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.82
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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