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  • 八零友创集团

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市莱利尔科技有限公司

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  • 深圳同贺科技有限公司

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  • 深圳市芳益电子科技有限公司

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2SJ610(TE16L1,NQ)产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 2A(Ta) 20W(Ta) PW-MOLD

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):250V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.55 欧姆 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):381pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):20W(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PW-MOLD

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,000

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