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2SK2887产品参数
型号:2SK2887
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.19
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:0.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e2
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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