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  • 深圳市澳亿芯电子

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  • 深圳市捷兴胜微电子科技有限公司

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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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  • 封装SOT23 
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  • 深圳市赛尔通科技有限公司

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  • 深圳市恒达亿科技有限公司

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  • 厂家UTC 
  • 封装SOT-23 
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  • 厂家SANKEN 
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  • 深圳市华科泰电子商行

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  • 封装SOT-23 
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Power F-MOS FETs  
2SK3049  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
Features  
Avalanche energy capacity guaranteed  
High-speed switching  
Low ON-resistance  
unit: mm  
4.6±0.2  
9.9±0.3  
2.9±0.2  
No secondary breakdown  
φ3.2±0.1  
Applications  
Contactless relay  
Diving circuit for a solenoid  
Driving circuit for a motor  
Control equipment  
1.4±0.2  
2.6±0.1  
1.6±0.2  
Switching power supply  
0.8±0.1  
0.55±0.15  
Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
2.54±0.3  
3
5.08±0.5  
1
2
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
1: Gate  
2: Drain  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
600  
3: Source  
TO-220D Package  
Gate to Source voltage  
DC  
Pulse  
Avalanche energy capacity  
VGSS  
ID  
±30  
V
±5  
A
Drain current  
IDP  
±10  
A
EAS*  
62.5  
mJ  
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
40  
PD  
W
2
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
55 to +150  
*
L = 5mH, IL = 5A, 1 pulse  
Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Conditions  
VDS = 480V, VGS = 0  
VGS = ±30V, VDS = 0  
ID = 1mA, VGS = 0  
VDS = 25V, ID = 1mA  
VGS = 10V, ID = 3A  
VDS = 25V, ID = 3A  
IDR = 5A, VGS = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
100  
±1  
IGSS  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
600  
2
Gate threshold voltage  
Vth  
5
V
Drain to Source ON-resistance  
Forward transfer admittance  
Diode forward voltage  
RDS(on)  
| Yfs |  
VDSF  
0.85  
3.4  
1.5  
1.7  
S
1.6  
V
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
1200  
140  
40  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
VDS = 20V, VGS = 0, f = 1MHz  
Turn-on time (delay time)  
Rise time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
20  
VDD = 200V, ID = 3A  
30  
Turn-off time (delay time)  
Fall time  
VGS = 10V, RL = 66.6Ω  
150  
50  
1
Power F-MOS FETs  
2SK3049  
Area of safe operation (ASO)  
PD  
Ta  
IAS  
L-load  
100  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
10  
TC=25˚C  
62.5mJ  
Non repetitive pulse  
TC=25˚C  
(1) TC=Ta  
(2) Without heat sink  
IAS max.  
30  
3
1
10  
t=1ms  
3
1
(1)  
DC  
10ms  
0.3  
0.1  
0.3  
100ms  
0.1  
0.03  
0.01  
0.03  
0.01  
(2)  
1
3
10  
30  
100 300 1000  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0.1  
0.3  
1
3
10  
( )  
V
(
)
(
)
Drain to source voltage VDS  
Ambient temperature Ta ˚C  
L-load mH  
ID  
VGS  
RDS(on)  
ID  
| Yfs | ID  
10  
8
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
5
4
3
2
1
0
VDS=25V  
V
GS=10V  
VDS=25V  
TC=0˚C  
TC=100˚C  
25˚C  
TC=100˚C  
100˚C  
6
25˚C  
4
25˚C  
0˚C  
0˚C  
2
0
0
2
4
6
8
10  
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
( )  
V
(
A
)
( )  
Drain current ID A  
Gate to source voltage VGS  
Drain current ID  
Rth(t)  
t
102  
10  
(1) Without heat sink  
(2) With a 100 × 100 × 2mm Al heat sink  
(1)  
(2)  
1
10–1  
10–2  
10–4  
10–3  
10–2  
10–1  
1
10  
102  
103  
104  
( )  
s
Time  
t
2
配单直通车
2SK300产品参数
型号:2SK300
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91
FET 技术:JUNCTION
JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
  •  
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