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品牌:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
制造商:Rohm Semiconductor
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:不適用於新設計
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 5V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):200mW(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:UMT3
封装/外壳:SC-70,SOT-323
标准包装:3,000
其它名称:2SK3018T106TR
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