2SK3018T106产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100mA（Ta） 200mW（Ta） UMT3

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：不適用於新設計

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 100µA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：13pF @ 5V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：200mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：UMT3

封装/外壳：SC-70，SOT-323

标准包装：3,000

其它名称：2SK3018T106TR