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  • 2SK3056-S图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • 2SK3056-S
  • 数量78800 
  • 厂家NEC-日本电气 
  • 封装TO-262-3 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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2SK3056-S产品参数
型号:2SK3056-S
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TO-262AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.71
雪崩能效等级(Eas):25.6 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):32 A
最大漏极电流 (ID):32 A
最大漏源导通电阻:0.05 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):34 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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