欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
所在地: 型号: 精确
  • 批量询价
  •  
  • 供应商
  • 型号
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
更多
  • 2SK3878图
  • 集好芯城

     该会员已使用本站13年以上
  • 2SK3878 现货库存
  • 数量14370 
  • 厂家TOSHIBA(东芝) 
  • 封装 
  • 批号22+ 
  • 原装原厂现货
  • QQ:3008092965QQ:3008092965 复制
    QQ:3008092965QQ:3008092965 复制
  • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
  • 2SK3878图
  • 深圳市欧立现代科技有限公司

     该会员已使用本站12年以上
  • 2SK3878 现货库存
  • 数量6800 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装TO-3P 
  • 批号24+ 
  • 全新原装现货,欢迎询购!
  • QQ:1950791264QQ:1950791264 复制
    QQ:2216987084QQ:2216987084 复制
  • 0755-83222787 QQ:1950791264QQ:2216987084
  • 2SK3878图
  • 深圳市拓森弘电子有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • 2SK3878
  • 数量5300 
  • 厂家TOSHIBA(东芝) 
  • 封装 
  • 批号21+ 
  • 全新原装正品,现货库存欢迎咨询
  • QQ:1300774727QQ:1300774727 复制
  • 13714410484 QQ:1300774727
  • 2SK3878A图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • 2SK3878A
  • 数量24001 
  • 厂家TOS原装 
  • 封装TO-3P 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
  • QQ:1002316308QQ:1002316308 复制
    QQ:515102657QQ:515102657 复制
  • 美驻深办0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
  • 2SK3878图
  • 集好芯城

     该会员已使用本站13年以上
  • 2SK3878
  • 数量15687 
  • 厂家SL 
  • 封装TO247 
  • 批号最新批次 
  • 原装原厂 现货现卖
  • QQ:3008092965QQ:3008092965 复制
    QQ:3008092965QQ:3008092965 复制
  • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
  • 2SK3878图
  • 深圳市恒佳微电子有限公司

     该会员已使用本站12年以上
  • 2SK3878
  • 数量5000 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装TO-247 
  • 批号23+ 
  • 只做原装只有原装深圳现货
  • QQ:864187665QQ:864187665 复制
    QQ:1807086236QQ:1807086236 复制
  • 755-82533156 QQ:864187665QQ:1807086236
  • 2SK3878图
  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • 2SK3878
  • 数量22000 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装TO-3P 
  • 批号▊ NEW ▊ 
  • ▊▊★【100%全新原装正品】★长期供应,量大可订,价格优惠!
  • QQ:1551106297QQ:1551106297 复制
    QQ:3059638860QQ:3059638860 复制
  • 0755-23125986 QQ:1551106297QQ:3059638860
  • 2SK3878图
  • 深圳市科庆电子有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • 2SK3878
  • 数量8150 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装TO-3P 
  • 批号23+ 
  • 现货只售原厂原装可含13%税
  • QQ:2850188252QQ:2850188252 复制
    QQ:2850188256QQ:2850188256 复制
  • 0755 QQ:2850188252QQ:2850188256
  • 2SK3878图
  • 深圳市积美福电子科技有限公司

     该会员已使用本站4年以上
  • 2SK3878
  • 数量5000 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装SC-65 
  • 批号21+ 
  • 自己原包装现货 实单|原装| 现货
  • QQ:647176908QQ:647176908 复制
    QQ:499959596QQ:499959596 复制
  • 0755-83228296 QQ:647176908QQ:499959596
  • 2SK3878图
  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • 2SK3878
  • 数量1500 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装NA/ 
  • 批号23+ 
  • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
  • QQ:3007977934QQ:3007977934 复制
    QQ:3007947087QQ:3007947087 复制
  • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
  • 2SK3878(F,T)图
  • 北京元坤伟业科技有限公司

     该会员已使用本站17年以上
  • 2SK3878(F,T)
  • 数量5000 
  • 厂家欧美编号 419 
  • 封装贴/插片 
  • 批号2024+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
  • QQ:857273081QQ:857273081 复制
    QQ:1594462451QQ:1594462451 复制
  • 010-62104931 QQ:857273081QQ:1594462451
  • 2SK3878图
  • 深圳市亿智腾科技有限公司

     该会员已使用本站8年以上
  • 2SK3878
  • 数量
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装假一赔十★全新原装现货★★特价供应★工厂客户可放款 
  • 批号16+ 
  • QQ:799387964QQ:799387964 复制
    QQ:2777237833QQ:2777237833 复制
  • 0755-82566711 QQ:799387964QQ:2777237833
  • 2SK3878图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • 2SK3878
  • 数量35447 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装TO-3P 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品全新进口深圳现货
  • QQ:1002316308QQ:1002316308 复制
    QQ:515102657QQ:515102657 复制
  • 深圳分公司0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:1002316308QQ:515102657
  • 2SK3878A,S1VE(S图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • 2SK3878A,S1VE(S
  • 数量23129 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装TO-3P 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
  • QQ:364510898QQ:364510898 复制
    QQ:515102657QQ:515102657 复制
  • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
  • 2SK3878图
  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

     该会员已使用本站12年以上
  • 2SK3878
  • 数量8500 
  • 厂家原厂 
  • 封装原厂原封装 
  • 批号20+ 
  • 百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可开13%增值税发票,支持样品,欢迎来电咨询!
  • QQ:1437347957QQ:1437347957 复制
    QQ:1205045963QQ:1205045963 复制
  • 0755-82343089 QQ:1437347957QQ:1205045963
  • 2SK3878图
  • 深圳市瑞天芯科技有限公司

     该会员已使用本站7年以上
  • 2SK3878
  • 数量20000 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装TO-3P 
  • 批号22+ 
  • 深圳现货库存,保证原装正品
  • QQ:1940213521QQ:1940213521 复制
  • 15973558688 QQ:1940213521
  • 2SK3878图
  • 深圳市雅维特电子有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • 2SK3878
  • 数量8000 
  • 厂家原厂原装 
  • 封装深圳原装现货0755-83975781 
  • 批号TO-3P 
  • QQ:767621813QQ:767621813 复制
    QQ:541766577QQ:541766577 复制
  • 0755-83975781 QQ:767621813QQ:541766577
  • 2SK3878(F)图
  • 麦尔集团

     该会员已使用本站10年以上
  • 2SK3878(F)
  • 数量500 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装十五周年庆典 
  • 批号N/A 
  • TOSHIBA全线推广折扣优惠
  • QQ:1716771758QQ:1716771758 复制
    QQ:2574148071QQ:2574148071 复制
  • 88266576 QQ:1716771758QQ:2574148071
  • 2SK3878图
  • 深圳市顺兴源微电子商行

     该会员已使用本站7年以上
  • 2SK3878
  • 数量900000 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装TO3P 
  • 批号14+ 
  • 原装现货,低价出售
  • QQ:3475025894QQ:3475025894 复制
    QQ:3504055308QQ:3504055308 复制
  • 0755-82723655 QQ:3475025894QQ:3504055308
  • 2SK3878.图
  • 深圳市集创讯科技有限公司

     该会员已使用本站5年以上
  • 2SK3878.
  • 数量45000 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装 
  • 批号24+ 
  • 原装进口正品现货,假一罚十价格优势
  • QQ:2885393494QQ:2885393494 复制
    QQ:2885393495QQ:2885393495 复制
  • 0755-83244680 QQ:2885393494QQ:2885393495
  • 2SK3878图
  • 深圳市欧立现代科技有限公司

     该会员已使用本站12年以上
  • 2SK3878
  • 数量5784 
  • 厂家TOS 
  • 封装TO-3P 
  • 批号24+ 
  • 全新原装现货,欢迎询购!
  • QQ:1950791264QQ:1950791264 复制
    QQ:221698708QQ:221698708 复制
  • 0755-83222787 QQ:1950791264QQ:221698708
  • 2SK3878(STA1,E,S)图
  • 北京齐天芯科技有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • 2SK3878(STA1,E,S)
  • 数量69000 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装TO-3P 
  • 批号2024+ 
  • 中航军工集团-只做原装
  • QQ:2880824479QQ:2880824479 复制
    QQ:1344056792QQ:1344056792 复制
  • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
  • 2SK3878(STA1.E.S)图
  • 北京中其伟业科技有限公司

     该会员已使用本站16年以上
  • 2SK3878(STA1.E.S)
  • 数量3000 
  • 厂家TOSHIBA 
  • 封装Power Mosfet N-ch, 9A, 900V 
  • 批号16+ 
  • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
  • QQ:2880824479QQ:2880824479 复制
  • 010-62104891 QQ:2880824479
  • 2SK3878图
  • 深圳市一线半导体有限公司

     该会员已使用本站11年以上
  • 2SK3878
  • 数量28000 
  • 厂家原厂品牌 
  • 封装原厂外观 
  • 批号 
  • 全新原装部分现货其他订货
  • QQ:2881493920QQ:2881493920 复制
    QQ:2881493921QQ:2881493921 复制
  • 0755-88608801多线 QQ:2881493920QQ:2881493921
  • 2SK3878图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • 2SK3878
  • 数量85000 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装10 
  • 批号23+ 
  • 真实库存全新原装正品!代理此型号
  • QQ:2881495753QQ:2881495753 复制
  • 0755-23605827 QQ:2881495753
  • 2SK3878图
  • 深圳市创思克科技有限公司

     该会员已使用本站2年以上
  • 2SK3878
  • 数量7800 
  • 厂家TOSHIBA/东芝 
  • 封装TO-3P 
  • 批号20+ 
  • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
  • QQ:1092793871QQ:1092793871 复制
  • -0755-88910020 QQ:1092793871

产品型号2SK3878的概述

芯片2SK3878的概述 2SK3878是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、马达驱动、电源管理和其他需要高效能电子开关的场合。该器件以其卓越的导通性能和快速的开关特性广受欢迎,尤其是在需要高频率和高效率的电子电路中。 其基本特点是低导通电阻、高耐压和快速的切换速度。这些特点使得2SK3878在各种电子设计中能够实现良好的功率效率,同时减少热量的生成。此外,2SK3878还能在高频率下稳定运行,使其成为现代电子设备中的理想选择。 芯片2SK3878的详细参数 2SK3878具有以下主要电气参数: - 最大漏极源极电压 (V_DS): 60V - 最大栅极源极电压 (V_GS): ±20V - 最大漏极电流 (I_D): 34A(在Tc=25°C时) - 导通电阻 (R_DS(on)): 0.045Ω(在V_GS=10V时) - 输入电容 (C_iss): 1600p...

产品型号2SK3878的Datasheet PDF文件预览

2SK3878  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)  
2SK3878  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
Low drain-source ON resistance: R  
= 1.0 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: Y = 7.0 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 720 V)  
DSS  
DS  
Enhancement model: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
900  
900  
±30  
9
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
1. GATE  
Drain current  
A
2. DRAIN (HEATSINK)  
3. SOURCE  
Pulse (Note 1)  
I
27  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
150  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
JEDEC  
E
778  
mJ  
(Note 2)  
JEITA  
SC-65  
216C1B  
Avalanche current  
I
9
15  
A
TOSHIBA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
Weight: 4.6 g (typ.)  
ch  
Storage temperature range  
T
55~150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
2
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
0.833  
50  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C  
during use of the device.  
Note 2:  
V
DD  
= 90 V, T = 25°C, L = 17.6 mH, R = 25 Ω, I  
= 9 A  
AR  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by max junction temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
1
2006-11-13  
2SK3878  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
= ±30 V, V  
= 0 V  
±30  
±10  
μA  
V
GSS  
GS  
I = ±10 μA, V  
G
DS  
Drain-source breakdown voltage  
Drain cutoff current  
V
V
= 0 V  
(BR) GSS  
DS  
= 720 V, V  
I
V
= 0 V  
100  
μA  
V
DSS  
DS  
= 10 mA, V  
GS  
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
I
= 0 V  
900  
2.0  
(BR) DSS  
D
GS  
= 10 V, I = 1 mA  
V
V
V
V
4.0  
1.3  
V
th  
DS  
GS  
DS  
D
Drain-source ON resistance  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
R
= 10 V, I = 4 A  
1.0  
7.0  
2200  
45  
Ω
S
DS (ON)  
Y ⎪  
D
= 15 V, I = 4 A  
3.5  
fs  
D
C
C
iss  
V
= 25 V, V  
= 0 V, f = 1 MHz  
GS  
pF  
Reverse transfer capacitance  
Output capacitance  
DS  
rss  
C
190  
oss  
Rise time  
t
r
25  
65  
20  
10 V  
GS  
0 V  
I = 4 A  
D
V
V
OUT  
Turn-on time  
t
on  
R
= 100 Ω  
L
Switching time  
Fall time  
ns  
t
f
V
400 V  
DD  
<
Duty 1%, t = 10 μs  
=
w
Turn-off time  
t
120  
60  
off  
Total gate charge  
Q
g
(gate-source plus gate-drain)  
V
400 V, V  
= 10 V, I = 9 A  
nC  
DD  
GS  
D
Gate-source charge  
Q
34  
26  
gs  
Gate-drain (“Miller”) charge  
Q
gd  
Source-Drain Ratings and Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Continuous drain reverse current (Note 1)  
I
9
27  
A
A
DR  
Pulse drain reverse current  
Forward voltage (diode)  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
(Note 1)  
I
DRP  
V
I
I
= 9 A, V  
= 9 A, V  
= 0 V  
1.7  
V
DSF  
DR  
DR  
GS  
GS  
t
= 0 V,  
1.4  
16  
μs  
μC  
rr  
dI /dt = 100 A/μs  
Q
DR  
rr  
Marking  
TOSHIBA  
K3878  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
A line indicates  
lead (Pb)-free package or  
lead (Pb)-free finish.  
2
2006-11-13  
2SK3878  
I
– V  
I
– V  
D DS  
D
DS  
10  
8
20  
COMMON SOURCE  
Tc = 25°C  
PULSE TEST  
COMMON SOURCE  
Tc = 25°C  
PULSE TEST  
15  
10  
16  
12  
8
15  
6
6
10  
5.5  
5.25  
6
5.5  
5
4
4.75  
5
2
4
0
V
= 4.5 V  
GS  
V
= 4.5 V  
GS  
0
0
2
4
6
8
10  
0
0
1
4
8
12  
16  
20  
DRAINSOURCE VOLTAGE  
V
(V)  
DRAINSOURCE VOLTAGE  
V
(V)  
DS  
DS  
I
– V  
V
– V  
DS GS  
D
GS  
20  
16  
12  
8
20  
16  
12  
8
COMMON SOURCE  
= 20 V  
COMMON SOURCE  
Tc = 25°C  
PULSE TEST  
V
DS  
PULSE TEST  
25  
I
= 9 A  
D
100  
Tc = −55°C  
4.5  
2.3  
4
4
0
0
0
2
4
6
8
10  
4
8
12  
16  
20  
GATESOURCE VOLTAGE  
V
GS  
(V)  
GATESOURCE VOLTAGE  
V
GS  
(V)  
R
I  
D
DS (ON)  
Y ⎪ − I  
fs  
D
10  
100  
COMMON SOURCE  
Tc = 25°C  
COMMON SOURCE  
= 20 V  
V
DS  
PULSE TEST  
PULSE TEST  
V
= 10 V  
GS  
1
10  
Tc = −55°C  
100  
25  
1
0.1  
0.1  
10  
100  
1
10  
100  
DRAIN CURRENT  
I
(A)  
DRAIN CURRENT  
I
(A)  
D
D
3
2006-11-13  
2SK3878  
R
Tc  
I
V  
DS  
DS (ON)  
DR  
5
4
3
2
1
0
100  
10  
1
COMMON SOURCE  
COMMON SOURCE  
V
= 10 V  
GS  
PULSE TEST  
Tc = 25°C  
PULSE TEST  
I
= 9 A  
D
4.5  
2.3  
10  
1
5
3
V
= 0 V  
GS  
0.1  
80  
40  
0
40  
80  
120  
160  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
CASE TEMPERATURE Tc (°C)  
DRAINSOURCE VOLTAGE  
V
(V)  
DS  
C V  
V
Tc  
th  
DS  
10000  
5
4
3
2
1
0
C
iss  
1000  
100  
10  
C
oss  
C
rss  
COMMON SOURCE  
= 0 V  
f = 1 MHz  
COMMON SOURCE  
= 10 V  
V
GS  
V
DS  
= 1 mA  
I
D
Tc = 25°C  
PULSE TEST  
1
0.1  
1
10  
100  
80  
40  
0
40  
80  
120  
160  
CASE TEMPERATURE Tc (°C)  
DRAINSOURCE VOLTAGE  
V
(V)  
DS  
DYNAMIC INPUT/OUTPUT  
CHARACTERISTICS  
P
Tc  
D
200  
160  
120  
80  
500  
20  
COMMON SOURCE  
= 9 A  
I
D
Tc = 25°C  
V
DS  
PULSE TEST  
400  
300  
200  
100  
16  
12  
8
100  
V
= 400 V  
200  
DS  
V
GS  
40  
4
0
0
0
0
0
100  
40  
80  
120  
160  
200  
20  
40  
60  
80  
CASE TEMPERATURE  
Tc (°C)  
TOTAL GATE CHARGE  
Q
g
(nC)  
4
2006-11-13  
2SK3878  
r
th  
t  
w
10  
1
Duty = 0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.01  
0.05  
0.02  
P
DM  
0.01  
t
SINGLE PULSE  
T
Duty = t/T  
R
= 0.833°C/W  
th (ch-c)  
0.001  
10 μ  
100 μ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
PULSE WIDTH  
t
w
(S)  
SAFE OPERATING AREA  
E
AS  
– T  
ch  
100  
10  
1000  
I
max (PULSE) *  
D
800  
600  
400  
200  
0
100 μs *  
I
max (CONTINUOUS)  
D
1 ms *  
DC OPERATION  
Tc = 25°C  
1
0.1  
*
SINGLE NONPETITIVE PULSE  
Tc = 25°C  
Curves must be derated linearly with  
increase in temperature.  
V
max  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
DSS  
0.01  
1
10  
100  
1000  
10000  
CHANNEL TEMPERATURE (INITIAL)  
T
ch  
(°C)  
DRAINSOURCE VOLTAGE  
V
(V)  
DS  
B
VDSS  
15 V  
15 V  
I
AR  
V
V
DD  
DS  
TEST CIRCUIT  
WAVE FORM  
1
2
B
VDSS  
2
R
V
= 25 Ω  
G
=
LI ⋅  
Ε
AS  
V
DD  
= 90 V, L = 17.6 mH  
B
VDSS  
DD  
5
2006-11-13  
2SK3878  
RESTRICTIONS ON PRODUCT USE  
20070701-EN  
The information contained herein is subject to change without notice.  
TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor  
devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical  
stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of  
safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of  
such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.  
In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as  
set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and  
conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability  
Handbook” etc.  
The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications  
(computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances,  
etc.).These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires  
extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or  
bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or  
spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments,  
medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in his  
document shall be made at the customer’s own risk.  
The products described in this document shall not be used or embedded to any downstream products of which  
manufacture, use and/or sale are prohibited under any applicable laws and regulations.  
The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No  
responsibility is assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which  
may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patents or other rights of  
TOSHIBA or the third parties.  
Please contact your sales representative for product-by-product details in this document regarding RoHS  
compatibility. Please use these products in this document in compliance with all applicable laws and regulations  
that regulate the inclusion or use of controlled substances. Toshiba assumes no liability for damage or losses  
occurring as a result of noncompliance with applicable laws and regulations.  
6
2006-11-13  
配单直通车
2SK3878产品参数
型号:2SK3878
是否无铅: 不含铅
生命周期:Not Recommended
IHS 制造商:TOSHIBA CORP
零件包装代码:SC-65
包装说明:2-16C1B, SC-65, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.42
雪崩能效等级(Eas):778 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A
最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:1.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):27 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
  •  
  • 供货商
  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。
 复制成功!